[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

下布线；

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述下布线上方，所述层间绝缘膜包括：第一部分，所述第一部分具有第一密度；以及第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料，并且所述第二部分具有小于所述第一密度的第二密度；

上布线，所述上布线位于所述层间绝缘膜的所述第二部分中；以及

通路，所述通路至少部分地位于所述层间绝缘膜的所述第一部分中，所述通路连接所述上布线和所述下布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路的一部分在所述层间绝缘膜的所述第二部分中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜还包括第三部分，所述第三部分具有小于所述第一密度和所述第二密度的第三密度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下布线包括：

下导电图案，以及

下阻挡膜，所述下阻挡膜沿着所述下导电图案的侧壁和底表面延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜包括：

第一上布线沟槽，以及

第一通路沟槽，所述第一通路沟槽与所述第一上布线沟槽流体连通，所述通路和所述上布线在所述第一上布线沟槽和所述第一通路沟槽内彼此成一体。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述上布线和所述通路具有整体结构，所述整体结构包括：

上阻挡膜，所述上阻挡膜沿着所述第一上布线沟槽的侧壁、沿着所述第一通路沟槽的侧壁并且沿着所述第一通路沟槽的底表面连续地延伸；以及

上导电图案，所述上导电图案位于所述上阻挡膜上，并填充所述第一上布线沟槽和所述第一通路沟槽。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分的孔隙率小于所述层间绝缘膜的所述第二部分的孔隙率。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分的介电常数大于所述层间绝缘膜的所述第二部分的介电常数。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分和所述层间绝缘膜的所述第二部分包括相同的材料。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分和所述层间绝缘膜的所述第二部分包括八甲基环四硅氧烷。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的所述第一部分包括比所述层间绝缘膜的所述第二部分的氧含量高的氧含量。

12.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一下布线和第二下布线，所述第一下布线和所述第二下布线彼此间隔第一距离；

第一上布线，所述第一上布线位于所述第一下布线上；以及

通路，所述通路连接所述第一下布线和所述第一上布线，所述通路包括具有第一斜率的第一侧壁，并且以所述第一斜率测量的所述第二下布线与所述通路之间的第二距离大于所述第一距离。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，具有所述第一斜率的所述第一侧壁连接到所述第一下布线，并且所述通路还包括连接到所述第一侧壁的具有小于所述第一斜率的第二斜率的第二侧壁。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述通路还包括连接到所述第二侧壁的具有第三斜率的第三侧壁。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第三斜率小于所述第二斜率。