[发明专利]薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法在审

申请号：	201910373775.6	申请日：	2019-05-07
公开（公告）号：	CN110148568A	公开（公告）日：	2019-08-20
发明（设计）人：	梅园;李金城	申请（专利权）人：	深圳市华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66
代理公司：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300	代理人：	黄威
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	金属蚀刻薄膜晶体管基板终点测定金属层基板电流变化电流侦测上集流体侦测
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【说明书】：

本发明公开一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤、金属蚀刻初始步骤、第一金属蚀刻步骤、第二金属蚀刻步骤、以及电流侦测步骤。透过侦测基板上集流体层的电流变化可准确侦测出金属蚀刻终点。

技术领域

本发明是有关于一种测定方法，特别是有关于一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，其不受溶液颜色和实施所述测定方法的人员的视觉辨识能力等因素所干扰。

背景技术

在薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)领域，玻璃/金属结构的金属蚀刻终点(End Point Determination,EPD)的测定主要采用在蚀刻过程中目视的方法进行判定。所述方法是利用铜和钼颜色以及透明玻璃颜色的色差来进行EPD的判断，而在进行蚀刻的溶液中同时存在溶液颜色的干扰以及不同观察人员和观察习惯的影响，且人眼观察本身会有一定的延时。

在多层金属结构中，存在多层金属EPD的撷取需求。由于在所述多层金属结构中的第二层以及第三层金属厚度较小，导致色差辨识难度大以及人员观察误差大，其EPD撷取通常作为蚀刻工艺的参考选项而不是主控选项，对所述EPD的撷取技术和认识还有待进一步提高

故，有必要提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，以解决现有技术所存在的以人眼辨识金属蚀刻终点的低精准度问题。

本发明主要目的在于提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，包括：

基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；

金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；

第一金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层，使所述铜层被蚀刻出一介于两所述光阻块之间的梯形槽；

第二金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层以露出所述集流体层；以及

所述电流侦测步骤，包括至少在所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点，其中，所述金属蚀刻终点为所述第二金属蚀刻步骤中所述铜层被蚀刻至露出所述集流层的时点。

在本发明较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述第一金属蚀刻步骤以及所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点。

在本发明较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述金属蚀刻初始步骤、所述第一金属蚀刻步骤、以及所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点。