[发明专利]太阳能芯片封装方法及太阳能芯片

权利要求书

1.一种太阳能芯片封装方法，其特征在于，包括：

依次铺设第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、芯片层、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)，所述芯片层包括太阳能电池芯片(9203)和装饰片(9211)；

对所述依次铺设的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、芯片层、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)进行加压加热处理，形成一次层压件(9206)；

依次铺设底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)；以及

对所述依次铺设的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)进行加压加热处理，形成二次层压件(92)。

2.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述太阳能电池芯片(9203)和所述装饰片(9211)具有相同的图案。

3.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，对所述依次铺设的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、芯片层、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)进行加压加热处理，形成一次层压件(9206)的步骤，具体包括：

对所述依次铺设的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、芯片层、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)进行预压预热处理，形成第一预层压件；以及

对所述第一预层压件进行加压加热处理，形成所述一次层压件(9206)。

4.根据权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，其特征在于，对所述依次铺设的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)进行加压加热处理，形成二次层压件(92)的步骤，具体包括：

对所述依次铺设的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、所述一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)进行预压预热处理，形成第二预层压件；以及

对所述第二预层压件进行加压加热处理，形成所述二次层压件(92)。

5.根据权利要求1所述的的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述第一阻隔层(9201)或第二阻隔层(9205)的材料为铝PET薄膜。

6.根据权利要求1所述的的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述第一胶膜层(9201)和第二胶膜层(9205)的材料为PoE胶膜。

7.根据权利要求1所述的的太阳能芯片封装方法，其特征在于，所述第三胶膜层(9208)和第四胶膜层(9209)的材料为EVA胶膜。

8.一种太阳能芯片，其特征在于，包括：依次设置的底布(9207)、第三胶膜层(9208)、一次层压件(9206)、第四胶膜层(9209)和前板(9210)；所述一次层压件(92)进一步包括：依次设置的第一阻隔层(9201)、第一胶膜层(9202)、芯片层、第二胶膜层(9204)和第二阻隔层(9205)，所述芯片层包括太阳能电池芯片(9203)和装饰片(9211)；通过如权利要求1所述的太阳能芯片封装方法，经过二次层压制备而成。

9.根据权利要求8所述的的太阳能芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片(9203)和所述装饰片(9211)具有相同的图案。

10.根据权利要求9所述的的太阳能芯片，其特征在于，所述第一阻隔层(9201)或第二阻隔层(9205)的材料为铝PET薄膜。