[发明专利]气相沉积设备的进气喷淋头在审
申请号: | 201910365880.5 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110172682A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 魏鸿源;杨少延;陈怀浩;魏洁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 马莉 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离气体 喷淋通道 喷淋头 气源腔 底板 导流通道 进气 气相沉积设备 预反应 喷出 腔内 连通 插入隔离 沉积设备 气相反应 载气气体 反应物 气体腔 前驱体 底面 顶面 污染 | ||
1.一种气相沉积设备的进气喷淋头,包括:
气源腔,其内通入带有气相反应前驱体的载气气体;
至少一个气体喷淋通道,其与所述气源腔连通,用于将所述气源腔内的气体喷出;
隔离气体腔底板,其顶面与所述气源腔的底面之间形成隔离气体腔,该隔离气体腔内通入隔离气体;
至少一个隔离气体导流通道,其形成于所述隔离气体腔底板上,并与所述隔离气体腔连通,用于将所述隔离气体腔内的隔离气体喷出;
其中,每个所述气体喷淋通道均插入任意一个所述隔离气体导流通道中。
2.根据权利要求1所述的气相沉积设备的进气喷淋头,所述气源腔包括多个,每个所述气源腔与至少一个所述气体喷淋通道连通。
3.根据权利要求2所述的气相沉积设备的进气喷淋头,多个所述气源腔沿竖直方向排列,所述气体喷淋通道设置于所述气源腔的底部,每个所述气源腔对应的所述气体喷淋通道均竖向设置,且多个所述气体喷淋通道之间交错设置。
4.根据权利要求3所述的气相沉积设备的进气喷淋头,一个所述隔离气体导流通道中插入至少一个所述气体喷淋通道。
5.根据权利要求3或4所述的气相沉积设备的进气喷淋头,部分所述隔离气体导流通道中不插入所述气体喷淋通道。
6.根据权利要求3所述的气相沉积设备的进气喷淋头,所述气体喷淋通道的出口与所述隔离气体腔底板的底面的间距介于0至10mm之间。
7.根据权利要求1所述的气相沉积设备的进气喷淋头,所述隔离气体腔底板的材质包括:金属、石英或陶瓷;
优选地,所述隔离气体腔底板的材质为:碳化硅涂层的石墨材料或不锈钢。
8.根据权利要求1所述的气相沉积设备的进气喷淋头,所述隔离气体为氢气、氮气、氩气或氦气中的至少一种;
优选地,所述隔离气体为所述载气气体或所述载气气体中的一种。
9.根据权利要求1所述的气相沉积设备的进气喷淋头,所述隔离气体腔底板内设置有冷却腔。
10.根据权利要求1所述的气相沉积设备的进气喷淋头,其中:
所述隔离气体导流通道的内壁与所述气体喷淋通道的外壁之间的间隙介于0.1mm至20mm之间;
所述隔离气体腔底板的顶面与所述气源腔的底面之间的距离介于0.1mm至100mm之间。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的