[发明专利]标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵及制造方法有效
| 申请号: | 201910356039.X | 申请日: | 2019-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN110034196B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
| 发明(设计)人: | 孟海凤;熊利民;张俊超 | 申请(专利权)人: | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044;H01L31/0443;H02S50/15 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王庆龙;苗晓静 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 标定 am0 太阳 模拟器 辐射 照度 标准 太阳电池 制造 方法 | ||
1.一种标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,包括:多结太阳电池片、隔离二极管和电路切换控制器;多个所述多结太阳电池片与所述隔离二极管串联构成一条组合支路,多条所述组合支路之间串联或并联,所述电路切换控制器与每条所述组合支路相连,构成所述标准太阳电池阵;
相应地,所述隔离二极管用于隔离其所在的所述组合支路;所述电路切换控制器用于控制所述组合支路的通断,以及多条所述组合支路之间的串联或并联。
2.根据权利要求1所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,每个所述多结太阳电池片由多个太阳电池子结串联组成,每个所述多结太阳电池片包含的太阳电池子结的数量不小于2且不大于6。
3.根据权利要求2所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,所述多结太阳电池片的形状为带倒角的矩形;所述矩形的第一边长不小于2cm且不大于4cm,所述矩形的第二边长不小于2cm且不大于8cm。
4.根据权利要求2所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,每条所述组合支路包含的多结太阳电池片的数量、所述组合支路的数量、以及所述多结太阳电池片包含的太阳电池子结的数量,根据所述标准太阳电池阵的输出电压和输出电流预先设定。
5.根据权利要求1所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,还包括整体基板,每个所述多结太阳电池片布设于所述整体基板上。
6.根据权利要求5所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,所述整体基板为普通铝基板或碳纤维铝蜂窝基板。
7.根据权利要求1所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,其特征在于,每个所述多结太阳电池片的短路电流不一致性小于1%。
8.根据权利要求1-7任一项所述的标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵,所述多结太阳电池片为航天用多结太阳电池片,所述多结太阳电池片为多结砷化镓太阳电池片。
9.一种标定AM0太阳模拟器辐射照度的标准太阳电池阵的制造方法,其特征在于,包括:
将多个多结太阳电池片与隔离二极管串联构成一条组合支路;
将多条所述组合支路之间串联或并联,电路切换控制器与每条所述组合支路相连,构成所述标准太阳电池阵;相应地,所述隔离二极管用于隔离其所在的所述组合支路;所述电路切换控制器用于控制所述组合支路的通断,以及多条所述组合支路之间的串联或并联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





