[发明专利]一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，它包括如下步骤：

1)将单晶硅衬底经过去损伤层、清洗及制绒；

2)采用光刻掩膜工艺和磷扩散工艺在绒面上制作N+背场和钝化层，去除P+发射极上的光刻胶层及减薄PSG；

3)采用光刻掩膜工艺和硼扩散工艺在绒面上制作P+发射极和前表面发射极及钝化层，并刻蚀掉N+背场上的光刻胶层及减薄BSG；

4)采用PECVD分步沉积减反射层；

5)通过丝网印刷制作正电极及负电极，烧结后得到I BC太阳能电池。

2.如权利要求1所述的基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，步骤1)中的去损伤层，清洗及制绒，包括如下步骤：

(1)将单晶硅衬底浸入配有H₂O₂、NaOH的溶液中进行去损伤层清洗；

(2)进行织构化处理及金属离子清理。

3.如权利要求1所述的基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，步骤2)中的制作N+背场和钝化层，包括如下步骤：

(1)在单晶硅衬底背面P+区上沉积掩膜层，以在P+区形成掩膜；

(2)在三氯氧磷气氛中对单晶硅衬底背面进行扩散，形成N+背场和钝化层。

(3)在HF酸液中去除P+发射极上的光刻胶层，同时减薄PSG，以减少N+背场表面的多孔缺陷。

4.如权利要求1所述的基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，步骤3)中的制作P+发射极和前表面发射极及钝化层，包括如下步骤：

(1)在N+背场区沉积掩膜层，以保护N+区不被硼元素掺杂；

(2)在三溴化硼氛围下对单晶硅衬底进行双面扩散，以形成前发射极和P+发射极及钝化层；

(3)在HF酸液中去除N+背场上的光刻胶层并减薄BSG，减少P+发射极区的表面态密度以降低载流子的表面复合。

5.如权利要求1所述的基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，步骤4)中的沉积减反射层，它包括如下步骤：

(1)在单晶硅衬底正面镀减反射膜以保护正表面的绒面结构；

(2)在单晶硅衬底背面镀减反射膜。

6.如权利要求1所述的基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的I BC太阳能电池的方法，其特征在于，步骤5)中的丝网印刷，包括如下工艺流程：

预烧结→印刷一层点印式烧穿型副栅线银、铝、铜、镀银铜、镀镍铜、镀锡铜或合金浆料→烘干→印刷一层线型副栅线银、铝、铜、镀银铜、镀镍铜、镀锡铜或合金浆料→烘干→烧结→印刷一层绝缘浆料→烘干→叠印一层绝缘浆料→烘干→主栅线银铝浆印刷一次。