[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910348886.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110034219A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;汪雪琴;林昌江 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;陈明鑫 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 欧姆接触层 导电性金属层 电气连接 反射层 活性层 基板 透明导电层 半导体层 半金属层 电流损失 低阻抗 覆盖层 电极 减小 制造 通电 释放 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板；
一在所述基板上形成的N型半导体层；
一在所述N型半导体层的部分区域上形成的活性层；
一在所述活性层上形成的P型半导体层；
一在所述P型半导体层上形成的透明导电层；
一与所述P型半导体层电气连接的P型电极；
一与所述N型半导体层电气连接的N型电极；
所述N型电极、P型电极均包括欧姆接触层、在所述欧姆接触层上形成的反射层、在所述反射层上形成的导电性金属层、在所述导电性金属层上形成的覆盖层；所述欧姆接触层为Wyle半金属层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层为Bi1-xSbx，其中0 <x < 1。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述x取0.04。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层还包括在所述Wyle半金属层上形成的铬层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层的材料包括铝(Al)或银(Ag)，所述导电性金属层的材料包括镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)，所述覆盖层的材料包括铂(Pt)或金(Au)。
6.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、在基板上形成N型半导体层；
步骤S2、在所述N型半导体层上形成活性层；
步骤S3、在所述活性层上形成P型半导体层；
步骤S4、蚀刻所述P型半导体层、所述活性层及所述N型半导体层的部分区域而露出所述N型半导体层；
步骤S5、在所述P型半导体层上形成透明导电层；
步骤S6、在所述透明导电层上形成P型电极，并在所述N型半导体层的露出的部分区域上形成N型电极；
所述N型电极及所述P型电极的形成，包括：
形成欧姆接触层，在所述欧姆接触层上形成的反射层，在所述反射层上形成的导电性金属层，在所述导电性金属层上形成的覆盖层；
所述欧姆接触层为Wyle半金属(wyle semi-metal)层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述欧姆接触层为Bi1-xSbx，其中，0 < x < 1。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述x取0.04。
9.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述反射层的材料包括铝(Al)或银(Ag)，所述导电性金属层的材料包括镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)，所述覆盖层的材料包括铂(Pt)或金(Au)。
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