[发明专利]一种CuAlO2多晶陶瓷的制备方法在审
申请号: | 201910347442.6 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN109956743A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 刘翔;吉福泉;樊有准 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C04B35/45 | 分类号: | C04B35/45;C04B35/622;C04B35/626 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 650000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶陶瓷 烧结 粉体 制备 靶材 电导率 电磁防护罩 粉末原料 玛瑙研钵 平面显示 压制成片 研磨 干燥箱 功能窗 管式炉 通讯用 箱式炉 传感器 放入 预烧 应用 | ||
1.一种CuAlO2多晶陶瓷的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
(1)以分析纯为Cu2O粉末(≥90.0%)和Al2O3粉末为原料,按摩尔比为1:1的比例称量后进行混合,研磨使其充分混合得到粒度均匀的粉末;
(2)将研磨后的粉末在干燥箱中干燥一定时间;
(3)将干燥后的粉末在箱式烧结炉中以优化后的温度预烧,得到CuAlO2多晶陶瓷粉体;
(4)将制备出的纯相CuAlO2粉末,在压力为4~16MPa的粉末压片机进行成型压片,然后将得到的块材在一定的温度下烧结,得到相应的CuAlO2多晶陶瓷靶材。
2.根据权利要求1所述CuAlO2多晶陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的干燥温度设定为120℃~140℃,干燥时间为12~24h。
3.根据权利要求1所述CuAlO2多晶陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中预烧的优化温度条件为:在1000℃~1050℃下烧结10~12h,然后分别在200℃和500℃~700℃下分别保温30min。
4.根据权利要求1所述CuAlO2多晶陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中烧结温度为1100~1300℃,烧结时间分别为5h,10h,15h。
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