[发明专利]温度调节装置和液体处理装置

说明书

本发明在目标温度有改变时能够在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。温度调节单元(143)将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度后供给到对晶片释放出抗蚀剂液的喷嘴，其包括：主体部(160)，其形成有抗蚀剂液的流路(160a)，并具有热传导性；设置于主体部(160)的至少一面的帕尔帖元件(161)；检测主体部(160)的温度的温度传感器(162)；和控制部(200)，其基于温度传感器(162)的检测结果来控制帕尔帖元件(161)，将主体部(160)的温度调节为主体部目标温度，由此将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度。

技术领域

本发明涉及温度调节装置和液体处理装置。

背景技术

例如，在半导体器件的制造工序中的光刻工序中，依次执行对作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜按规定的图案进行曝光的曝光处理、利用显影液对经曝光的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等的一系列处理，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

在上述的一系列处理中，对抗蚀剂液等处理液进行温度调节来使用(参照专利文献1)。

专利文献1的基片处理装置包括：保持基片的保持台；供给管，其从一端部被供给抗蚀剂液，将该抗蚀剂液从另一端部供给到基片；温度调节部，其在内部流通温度调节水，对供给管的另一端部附近进行温度调节。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-25887号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，如专利文献1所示，在利用温度调节水进行处理液的温度调节的情况下，在目标温度被改变时，首先，需要改变温度调节水的温度，但是，改变温度调节水的温度本身需要时间。因此，在专利文献1所公开的方法中，将处理液的温度调节为目标温度的时间存在改善的余地。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于目标温度有改变时在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。

用于解决技术问题的技术手段

解决上述技术问题的本发明是一种温度调节装置，其将处理液的温度调节为处理液目标温度后供给到对基片释放出上述处理液的喷嘴，上述温度调节装置包括：主体部，其形成有上述处理液的流路，并具有热传导性；设置于上述主体部的至少一面的电热元件；用于检测上述主体部的温度的温度检测部；和控制部，其基于上述温度检测部的检测结果来控制上述电热元件，将上述主体部的温度调节为主体部目标温度，从而将上述处理液的温度调节为上述处理液目标温度。

依照本发明，控制设置于该主体部的电热元件，将形成有处理液的流路并具有热传导性的主体部的温度调节为主体部目标温度，将处理液的温度调节为处理液目标温度，因此在处理液目标温度有改变时，能够将处理液的温度在短时间内调节为改变后的处理液目标温度。

也可以为上述电热元件以夹着上述主体部中的上述流路的方式设置。

也可以为还包括散热部，其与上述电热元件热接触而将该电热元件的热或者冷热散出。

也可以为包括壳体，其包括：收纳上述主体部及上述电热元件的收纳空间；和将温度调节介质导入上述收纳空间内的温度调节介质导入端口。

也可以为包括壳体，其包括：收纳上述主体部、上述电热元件及上述散热部的收纳空间；和将温度调节介质导入上述收纳空间内的温度调节介质导入端口。

也可以为上述壳体包括从上述收纳空间排出上述温度调节介质的温度调节介质排出端口。

也可以为从上述温度调节介质排出端口吸引上述温度调节介质并将其排出。

也可以为上述温度调节介质是气体。