“福冈哲夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置-CN201880008160.7有效
发明人：清田健司;福冈哲夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种在使形成有集成电路芯片的半导体晶圆的背面侧(另一面侧)的厚度减小的工序之前在表面侧(一面侧)形成保护膜时能够实现保护膜的平坦化的技术。本发明的半导体基板的处理装置具备将剥离用的固化剂(11)涂布于晶圆(W)的表面侧的模块(51)、通过照射紫外线来使固化剂(11)固化的模块(54)、将保护膜用的固化剂(12)涂布于固化剂(11)之上的模块(52)、接着在利用由玻璃板构成的按压构件(14)对固化剂的表面进行按压的状态下通过照射紫外线来使固化剂(12)固化的模块(56)、之后对晶圆(W)进行背面磨削的装置(G)、将切割用带粘接于晶圆(W)的背面侧的模块、之后向晶圆(W)的表面侧照射激光来使固化剂(11)变质而产生气体以将固化剂(11、12)从晶圆(W)剥离的模块。
半导体处理方法装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201711401085.4有效
发明人： 福冈哲夫;糸永将司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明在对作为处理对象的基片供给规定的气体的处理中，适当地检测异常处理。疏水化处理单元(U5)包括：收纳作为处理对象的晶片(W)的处理容器(21)；对处理容器(21)供给空气(第1空气)的开闭部(60)(第1供给部)；对处理容器(21)供给相对湿度与空气不同的HMDS气体(第2气体)的气体供给部(30)(第2供给部)；和控制器(100)(控制部)，控制器(100)基于实施了由开闭部(60)进行的空气的供给和由气体供给部(30)进行的HMDS气体的供给之后的相对湿度，来判断处理容器(21)中的气体的状态。
处理装置方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210196093.4在审
发明人： 福冈哲夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括：作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21)，其中，该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液；和气体供给部(40)，其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部，供给温度比常温高的第1温度的第1气体(F1)。
处理装置方法

[发明专利]吸杂层形成装置、吸杂层形成方法以及计算机存储介质-CN201880036008.X在审
发明人： 福冈哲夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：在基板形成吸杂层的吸杂层形成装置具有：基板保持部，其用于保持基板；抛光膜，其用于与保持到所述基板保持部的基板抵接而研磨该基板；基座，其用于支承所述抛光膜，沿着铅垂方向移动自由且旋转自由；以及水供给部，其用于向保持到所述基板保持部的基板供给水。
基板基板保持部抛光膜吸杂层基板供给铅垂方向水供给部形成装置旋转自由移动自由研磨抵接支承

[发明专利]温度调节装置和液体处理装置-CN201910337614.1在审
发明人： 福冈哲夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明在目标温度有改变时能够在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。温度调节单元(143)将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度后供给到对晶片释放出抗蚀剂液的喷嘴，其包括：主体部(160)，其形成有抗蚀剂液的流路(160a)，并具有热传导性；设置于主体部(160)的至少一面的帕尔帖元件(161)；检测主体部(160)的温度的温度传感器(162)；和控制部(200)，其基于温度传感器(162)的检测结果来控制帕尔帖元件(161)，将主体部(160)的温度调节为主体部目标温度，由此将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度。
抗蚀剂液主体部温度调节帕尔帖元件温度传感器温度调节单元温度调节装置液体处理装置检测结果晶片释放热传导性喷嘴处理液流路检测

[发明专利]电极制造装置和电极制造方法-CN201210010354.5无效
发明人： 福冈哲夫;寺田和雄;北野高广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够适当地在带状的基材的表面形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔(M)的放卷辊(10)；在金属箔(M)的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部(11)；使金属箔(M)上的活性物质混合剂干燥而形成活性物质层的干燥部(12)；和卷取金属箔(M)的卷取辊(13)。干燥部(12)具有在金属箔(M)的长边方向排列配置且发出红外线的多个LED(30)。干燥部(12)被分割为多个区域(Ta、Tb、Tc)。一个区域(Ta、Tb、Tc)的LED(30)的峰值发光波长，是对于在该一个区域(Ta、Tb、Tc)中的活性物质混合剂中的水的膜厚，活性物质混合剂不沸腾的范围的红外线的波长，该发光波长被设定为水的红外线的吸收率达到最大的波长。
电极制造装置方法

[发明专利]电极制造装置和电极制造方法-CN201210011633.3无效
发明人： 福冈哲夫;寺田和雄;北野高广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊，放出带状的金属箔；涂敷部，在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部，使金属箔上的活性物质合剂干燥而形成活性物质层；卷取辊，卷取金属箔。干燥部具有在金属箔的长度方向上排列配置的多个杆式加热器，在多个杆式加热器的表面形成有熔敷膜，用于照射红外线。干燥部被分割成多个区域。各个区域中的熔敷膜与在该各个区域中的活性物质合剂中的水的膜厚相对应地被设定成活性物质合剂不沸腾的范围内的熔敷膜，并被设定成如下这样的熔敷膜：辐射率在与水对红外线的最大吸收率相对应的辐射率中具有最大的辐射率。
电极制造装置方法

[发明专利]电极制造装置和电极制造方法-CN201210010400.1无效
发明人： 福冈哲夫;寺田和雄;北野高广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够在带状的基材的表面适当地形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔的放卷辊；在金属箔的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部；使金属箔上的活性物质混合剂干燥以形成活性物质层的干燥部；和卷取金属箔的卷取辊。干燥部包括：多个杆式加热器，其在金属箔的长边方向排列配置，并照射红外线；多个反射板，其夹着杆式加热器与金属箔的表面相对地配置，使来自杆式加热器的红外线反射到金属箔侧；供气口，其形成在相邻的反射板之间，对反射板与金属箔之间的干燥区域供给空气；和排气口，其形成在另外的相邻的反射板之间，将干燥区域内的空气排出。
电极制造装置方法

[发明专利]电极制造装置和电极制造方法-CN201210011628.2无效
发明人： 福冈哲夫;寺田和雄;北野高广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊(10)，用于放出带状的金属箔(M)；涂敷部(11)，用于在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部(12)，用于使金属箔上的活性物质合剂干燥而形成活性物质层；卷取辊(13)，用于卷取金属箔。干燥部具有在金属箔的长度方向上排列配置的、用于照射红外线的多个杆式加热器(30)。干燥部被分割成多个区域(Ta、Tb、Tc)。每个区域的杆式加热器(30)的温度与在该每个区域中的活性物质合剂中的水的膜厚相对应地设定为不使活性物质合剂沸腾的范围的温度、且使水对红外线的吸收率为最大的温度。
电极制造装置方法

[发明专利]气化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法-CN201110225012.0有效
发明人：伊藤和彦;北野高广;福冈哲夫;石井贵幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂气化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的气化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该气化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的气化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板气化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂气化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的气化进行检测。
气化装置处理显影方法

[发明专利]加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法-CN201110032741.4无效
发明人：林伸一;福冈哲夫;小田哲也;稻富弘朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法，本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
加热装置显影以及方法

[发明专利]疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质-CN201010262548.5有效
发明人：新村聪;福冈哲夫;北野高广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水化气体、还能抑制药液发生变质的疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质。疏水化处理装置包括：气化面形成部，其表面位于气化室内；气化面加热部件，其用于加热该气化面形成部；药液供给口，其用于将疏水化处理用的药液供给到上述气化面形成部的表面上；气体导入口，其用于将载气导入上述气化室内；引出口，其用于引出疏水化气体；处理容器，其用于将自上述引出口供给的疏水化气体供给到基板上。利用该结构能够将高浓度的疏水化气体供给到基板上，且由于在不进行处理时所贮存的药液不会与载气接触，因此能够抑制药液变质。
疏水处理装置方法以及存储介质

[发明专利]加热装置以及涂布·显影装置-CN200610126641.7有效
发明人： 福冈哲夫;饱本正巳;北野高广;木村义雄;林伸一;伊东晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：加热装置(2)具有：壳体(20)；扁平的加热室(4)，设置在壳体(20)内，对作为基板的晶片(W)进行加热处理，并且一侧端为了送入送出晶片(W)而开口；热板(44、45)，设置在所述加热室(4)上，对所述晶片(W)从上方和下方进行加热。在所述壳体(20)内，与所述加热室(4)的开口端相邻地设置有冷却板(3)，对被热板(44、45)加热的晶片(W)进行冷却。所述壳体(20)内设置有输送组件，该输送组件在冷却板(3)的上方一侧位置与加热室(4)的内部之间进行所述晶片(W)的输送，在所述加热室(4)内在对晶片(W)进行保持的状态下进行基板的加热处理。
加热装置以及显影

[发明专利]加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法-CN200610066684.0有效
发明人：林伸一;福冈哲夫;小田哲也;稻富弘朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
加热装置显影以及方法

[发明专利]加热装置、涂布显影装置及加热方法-CN200610067374.0有效
发明人： 福冈哲夫;北野高广;松冈伸明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： F26B3/06 文献下载
摘要：本发明的加热装置(2)具备：热板(41)，载置基板(W)；顶板(62)，与该基板对置；气体排出部(31)，设在上述热板(41)的一端侧，将气体排出到该热板(41)和顶板(62)之间；排气部(51)，夹着上述热板(41)与气体排出部(31)对置而设置；加热部(42a～h)，独力地加热基板(W)的第1区域(P1)、第2区域(P2)。通过形成单向流、将第1区域(P1)和第2区域(P2)加热到不同的温度，进行面内均匀性较高的加热处理。在该加热装置(2)中，通过将上述气体加热到一定温度并在该热板(41)上装备一定高度的突起部(46)，能够防止因基板(W)弯曲造成的位置偏移，并且能够防止基板(W)冷却，所以可进行面内均匀性较高的加热处理。
加热装置显影方法

1
共 15 条