[发明专利]断电/掉电存储器控制器在审

专利信息
申请号: 201910323086.4 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN110517716A 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: L·德桑蒂斯;T·瓦利;L·努比莱;R·卡尔迪纳利;M·L·加莱塞;C·拉塔罗 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/22;G11C5/14
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘瑜;王英<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 状态机 主控制器 时间段 微动作 断电 非易失性存储器存储 存储器存储装置 非易失性存储器 存储器控制器 存储器存储 序列发生器 电压电平 放电序列 命令输出 定序器 掉电 输出 响应
【权利要求书】:

1.一种存储器控制器,包括:

主控制器,其与非易失性存储器存储装置耦合,用于当在第一电压范围内操作时,在第一时间段期间开始所述非易失性存储器存储装置的断电,其中,所述主控制器用于响应于电压电平低于预定阈值的指示而开始所述非易失性存储器存储装置的断电;以及

定序器,其与所述非易失性存储器存储装置耦合,用于当在低于所述第一电压范围的第二电压范围内操作时,在第二时间段期间继续所述非易失性存储器存储装置的断电。

2.根据权利要求1所述的存储器控制器,进一步包括电压电平检测器,其与所述主控制器耦合,用于响应于所述非易失性存储器存储装置的电压电平低于所述预定阈值而生成指示符,其中,所述指示符是所述电压电平低于所述预定阈值的指示。

3.根据权利要求2所述的存储器控制器,其中,所述电压电平检测器包括在模拟电路中。

4.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述主控制器用于引导所述定序器继续所述非易失性存储器存储装置的断电。

5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述预定阈值是第一预定阈值,所述电压电平是第一电压电平,所述指示符是第一指示符,并且所述定序器用于至少部分地基于来自所述电压电平检测器的第二指示符来继续所述非易失性存储器存储装置的断电,所述第二指示符指示所述非易失性存储器存储装置的第二电压电平低于比所述第一预定阈值更低的第二预定阈值。

6.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,所述定序器包括状态机,所述状态机用于执行放电序列,其中,所述状态机包括微动作输出,所述微动作输出用于至少部分地基于所述状态机的当前状态而将微动作命令输出到所述非易失性存储器存储装置。

7.根据权利要求6所述的存储器定序器,其中,所述状态机还包括:

微码存储装置;以及

字线解码器,其中,所述字线解码器用于至少部分地基于所述状态机的当前状态从所述微码存储装置中选择微码,其中,所述微动作命令至少部分地基于选择的微码。

8.根据权利要求7所述的存储器定序器,其中,所述状态机还包括与所述字线解码器耦合的内容可寻址存储器(CAM),其中,所述微动作命令响应于在所述CAM中找到匹配而基于存储在所述CAM中的命令,并且响应于在所述CAM中未找到匹配而基于来自所述微码存储装置的微码。

9.根据权利要求8所述的存储器定序器,其中,所述微码存储装置基于金属层存储装置、只读存储器(ROM)、静态随机存取存储器(SRAM)、多个锁存器或硬连线逻辑配置。

10.根据权利要求1所述的存储器控制器,还包括多路复用器,其具有与所述主控制器耦合的第一输入、与所述定序器耦合的第二输入,以及与所述非易失性存储器存储装置的控制总线耦合的输出,其中,所述多路复用器用于响应于选择信号而选择性地将所述主控制器或所述定序器耦合到所述控制总线。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的存储器控制器,其中,所述非易失性存储器存储装置包括半导体管芯上的NAND存储器,并且所述主控制器和所述定序器位于所述半导体管芯上。

12.一种非易失性存储器装置,包括:

非易失性存储器存储装置;

非易失性存储器控制接口,其与所述非易失性存储器存储装置耦合;

定序器,其与所述非易失性存储器控制接口耦合;以及

电压电平检测器,其中,所述定序器用于响应于所述电压电平检测器检测到所述非易失性存储器装置的电压电平低于预定阈值而引导所述非易失性存储器存储装置执行电压放电序列。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器装置,其中,所述非易失性存储器存储装置是NAND存储器。

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