[发明专利]一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法在审
申请号: | 201910322856.3 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN110085699A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 洪布双;吴俊旻;张鹏;王涛 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 汤春微 |
地址: | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 高效电池 接触结构 钝化 氮化硅层 背面电极 转化效率 氮化硅 制作 衬底 电池 晶硅太阳能电池 多晶硅掺杂层 退火 背面保护层 隧穿氧化层 电池背面 钝化效果 少子复合 丝网印刷 相对设置 正面结构 制作过程 硅片 制绒 清洗 扩散 生产 贯穿 覆盖 制造 | ||
本发明公开了一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法,属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域,其目的是解决P型电池在生产制作过程转化效率低的问题,本发明中P型高效电池包括硅片以及衬底,所述衬底包括相对设置的正面和背面,所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构;背面电极,所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触;位于所述正面的正面结构。制作上述P型高效电池的制作方法包括制隧穿氧化层;制多晶硅掺杂层;制背面保护层;制绒;扩散;两面清洗;退火;制背面氮化硅;制正面氮化硅;丝网印刷。本发明增强了电池背面整体的钝化效果,降低了电池背面的少子复合,提高了电池的转化效率。
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域,具体涉及一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法。
背景技术
随着硅片质量的提升,晶硅电池表面复合已经成为制约其效率的主要因素,表面钝化技术尤为重要。Fraunhofer开发了一种表面钝化技术,其在N型硅片的背面生长了一层超薄的可隧穿氧化层和一层高掺杂磷的多晶硅层,这种钝化结构可以极大的降低N型硅片内部的少子的复合,同时高掺杂磷的多晶硅层对于多子来说具有良好的传导性,这种电池可以实现的优秀的钝化接触效果。
目前PERC电池已成为业界的主流产品,其背面普遍采用了氧化铝和氮化硅的叠层结构。因为这种叠层结构不具有导电性能,需要在印刷电极前利用激光在此叠层结构上开槽,局部形成与电极接触的导电通道。然而,局部激光开槽的通道位置处,氧化铝和氮化硅的叠层会被激光消蚀,对叠层结构造成破坏。由于在开槽位置处电极与硅基体直接接触,此处的复合会显著增加,影响了背面的整体的钝化效果,使得电池的开路电压难以进一步提升,进而影响了电池的转化效率。
发明内容
本发明的目的在于:解决现有技术中P型电池在生产制作过程转化效率低下的问题,提供一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法。
本发明采用的技术方案如下:
一种具有钝化接触结构的P型高效电池,包括:
硅片以及衬底,所述衬底包括相对设置的正面和背面,所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构;
背面电极,所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触;
位于所述正面的正面结构。
其中,所述钝化接触结构包括:
位于所述背面氮化硅层靠近硅片的多晶硅掺杂层;
位于所述多晶硅掺杂层靠近硅片的隧穿氧化层。
其中,所述多晶硅掺杂层为掺杂硼的多晶硅层。
其中,所述隧穿氧化层为二氧化硅层。
一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,包括以下步骤:
S1、表面清洗:对硅片进行两面清洗处理,去除硅片表面的损伤层;
S2、制隧穿氧化层:在硅片背面沉积一层二氧化硅形成隧穿氧化层;
S3、制多晶硅掺杂层:在硅片背面再沉积一层多晶硅层并进行硼掺杂;
S4、制背面保护层:在硅片背面再沉积一层氮化硅形成氮化硅保护层;
S5、制绒:利用碱制绒工艺在正面形成金字塔形的绒面结构;
S6、扩散:在硅片正面进行磷掺杂形成PN结;
S7、两面清洗:对硅片进行两面清洗处理,去除硅片表面的磷硅玻璃以及氮化硅保护层;
S8、退火:在硅片表面沉积一层二氧化硅;
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