[发明专利]光电元件封装体

说明书

本发明公开一种光电元件封装体，其包括基板、至少一光电元件、第一阻障层、波长转换层以及第二阻障层。光电元件配置于基板上。第一阻障层配置于基板上且覆盖光电元件。波长转换层配置于第一阻障层上。第二阻障层覆盖波长转换层。第一阻障层的成份组成包含氮元素含量大于0at％至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅元素含量介于30at％至50at％。

技术领域

本发明涉及一种光电元件封装体。

背景技术

近年来，波长转换材料(例如量子点等)与光电元件(例如发光元件等)的研究逐渐受到关注。波长转换材料具有发光频谱集中的特性，色域广且色彩饱和度佳，通过波长转换材料与光电元件的搭配，有机会达到更好的全彩显示效果。然而，波长转换材料易受到热及/或水氧的影响而损坏，如何通过封装技术提升光电元件搭载波长转换材料对热及/或水氧的阻障特性，进而增进光电元件封装体的可靠度及其寿命，实为关键。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光电元件封装体，此光电元件封装体可具有良好的阻障性质。

为达上述目的，本发明一实施例提出的光电元件封装体包括基板、至少一光电元件、第一阻障层、波长转换层以及第二阻障层。光电元件配置于基板上。第一阻障层配置于基板上且覆盖光电元件。波长转换层配置于第一阻障层上。第二阻障层覆盖波长转换层。第一阻障层的成份组成包含氮(N)元素含量大于0原子百分比(atomic percent，at％)至10at％、氧(O)元素含量介于50at％至70at％以及硅(Si)元素含量介于30at％至50at％。

本发明一实施例的光电元件封装体中，分别将第一阻障层以及第二阻障层的表面进行改质，可使第一阻障层提供阻热(thermal resistance)兼具阻水氧的阻障效果，并使覆盖在波长转换层上的第二阻障层具备良好的阻障特性，有利于保护波长转换层，由此降低波长转换层因受热及/或水氧等损伤而影响发光效率。

为使本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A至图1G为本发明第一实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图；

图2为本发明第二实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图3A至图3F为本发明第三实施例的光电元件封装体制作工艺的局部剖面示意图；

图4为本发明第四实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图5为本发明第五实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图6为本发明第六实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图7为本发明第七实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图8为本发明第八实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图9为本发明第九实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图10为本发明第十实施例的光电元件封装体的局部剖面示意图；

图11为本发明一实施例的光电元件封装体布局的局部上视示意图。

附图标记

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000：光电元件封装体

110：基板

120：光电元件

130、330、730：第一阻障层