[发明专利]光电元件封装体有效
| 申请号： | 201910316998.9 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048654B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郭燕静;洪健彰;廖贞慧;黄奕翔;叶树棠;戴宏明;陈鸿毅 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/56;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 元件 封装 | ||
1.一种光电元件封装体，其特征在于，包括：
基板；
至少一光电元件，配置于该基板上；
第一阻障层，配置于该基板上且覆盖该至少一光电元件；
波长转换层，配置于该第一阻障层上；以及
第二阻障层，覆盖该波长转换层，
其中该第一阻障层的成份组成包含氮元素含量大于0原子百分比(at％)至10at％、氧元素含量介于50at％至70at％以及硅元素含量介于30at％至50at％；
所述第一阻障层包括第一区与第二区，所述第一区位于所述第二区与所述波长转换层之间，所述第一区与所述第二区相比具有较高的氮元素含量。
2.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第一阻障层的热传导系数小于5瓦/米-绝对温度，且其水气穿透率小于10-1克/平方米-天。
3.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第二阻障层的成份组成包含氮元素含量介于5at％至45at％、氧元素含量介于5at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％。
4.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第二阻障层的氮元素含量高于等于该第一阻障层的氮元素含量，且该第一阻障层的氧元素含量高于等于该第二阻障层的氧元素含量。
5.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第一阻障层的厚度大于该第二阻障层的厚度。
6.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该第一阻障层的密度小于该第二阻障层的密度。
7.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该光电元件封装体还包括至少一挡墙，该至少一挡墙配置于该至少一光电元件的周围。
8.如权利要求7所述的光电元件封装体，其中该第一阻障层及/或该第二阻障层包覆该至少一挡墙。
9.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该光电元件封装体还包括缓冲层，该缓冲层配置于该波长转换层与该第二阻障层之间。
10.如权利要求9所述的光电元件封装体，其中该缓冲层的材料包括压克力系聚合物、环氧系聚合物或聚酰亚胺。
11.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该光电元件封装体还包括反射层，该反射层配置于该波长转换层与该第二阻障层之间。
12.如权利要求11所述的光电元件封装体，其中该反射层的材料包括金属、合金或聚合物。
13.如权利要求1所述的光电元件封装体，其中该光电元件封装还包括平坦层，该平坦层配置于该基板与该第一阻障层之间，且包覆该至少一光电元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司，未经财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910316998.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于导航数据的编号识别平台
- 下一篇：半导体存储装置及其制造方法
