[发明专利]微发光二极管量子点显示屏修补结构在审
申请号: | 201910311390.7 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN110085637A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 郭浩中;刘召军;佘庆威 | 申请(专利权)人: | 佛山市柔浩电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 微发光二极管 修补结构 显示屏 布拉格反射层 布拉格反射镜 矩阵式排列 空置 去除 填入 铺设 覆盖 | ||
本发明公开了一种微发光二极管量子点显示屏的修补结构,其主要是包括了下列的步骤:去除布拉格反射层(Distributed Bragg Reflector,DBR);将莹光粉填入空置量子点;以及铺设布拉格反射镜以覆盖整个矩阵式排列的微发光二极管量子点。
技术领域
本发明主要是在于提供一种显示屏的修补结构,尤其是一种微发光二极管量子点所形成的显示屏的修补结构,具体的领域即是当微发光二极管量子点显示屏内部有某个或某些微量子点发生故障而无法发出预设的色彩时的修补结构。
背景技术
蓝宝石的组成为氧化铝(A12O3)是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合,晶体结构为六方晶格结构,蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190奈米;nm)到中红外线都有很好的透光性,并且具备高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、熔点高(20452℃)等特点,因此常作为光电组件的基板材料。
就超高亮度白/蓝光LED品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料质量,因此与所采用的蓝宝石基板表面加工质量有关,蓝宝石(单晶A12O3)C面与 III-V和II-VI族沈积薄膜之间的晶格常数失配率小,同时符合GaN磊晶制程耐高温的要求,因此蓝宝石基板成为制作QLED显示屏的关键材料。
QLED是「Quantum Dot Light Emitting Diode」的简写,即量子点发光二极管,亦可称量子显示技术。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术,其核心技术为QuantumDots(量子点)。量子点是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体,是一种粒径不足10纳米的颗粒。量子点QLED显示技术便是通过蓝色LED光源照射量子点来激发红光及绿光,从而呈现精湛的画面。
量子点QLED显示技术主要包括量子点发光二极管显示技术(QLED)和量子点背光源技术(QD-BLU),量子点具有发光特性,量子点薄膜(QDEF)中的量子点在蓝色LED背光照射下生成红光和绿光,并同其余透过薄膜的蓝光一起混合得到白光,从而提升整个背光系统的发光效果。
量子点QLED显示技术有其与众不同的特性,每当受到光或电的刺激,量子点便会发出有色光线,光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定,这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。因此,量子点QLED显示技术在色彩显示上准确性高,成像画面也更加稳定。
量子点QLED显示技术得天独厚的优势令电视亮度有效提升30~40%,背光源系统颜色转换效率大幅提升的情况下,画面的色彩更亮丽,兼顾节能环保等特点,画面亮度、色彩纯度均为WLED背光系统的2倍左右,性能提升十分明显。考虑到液晶技术的物理特性先天不足,量子点QLED显示技术能够带来如此多的革命,是液晶技术的一次重大的突破。
除却显示优势,采用量子点QLED显示技术也将使得制造成本更低。该技术是将量子点的光学材料放入背照灯与液晶面板之间,可以使色域达到或超过OLED 的水平,甚至可以省去光源侧的偏光片,有效降低液晶显示产品(用于液晶电视和液晶显示器)的制造成本。对于目前中高端显示屏居高不下的价格来说,成本低性能强的量子点QLED显示技术更符合消费市场的需求。
此外,量子点QLED显示技术能够将LED光源发出的蓝光完全转化为白光(传统YAG荧光体只能吸收一部分),这意味着在同样的亮度下,量子点QLED所需的蓝光更少,在电光转化中需要的电力亦更少,有效降低背光系统的功耗总成。由上可知,量子点显示技术成为市场上大众喜好的产品已是指日可待了。
另一种在量子点QLED显示技术中所为人所熟知的技术称之为量子限制斯塔克效应,亦即,电子只能在原子周围特定的轨道上运行,每个轨道都与一定的能量等级相联系。当带有适当能量(或适量波长)的光线射入时。电子吸收了光线,使用其能量来跃迁到临近的轨道上。对原子使用强大的电场可以改变电子所能吸收的光线波长。这一现象已经被人类所知超过一个世纪,被称为斯塔克效应。斯塔克效应使得材料在工程师开启或关闭一个电场时,像百叶窗那样可以屏蔽特定波长的光线,并可吸收各种光线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的