[发明专利]陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法

权利要求书

1.具有陶瓷基体（2）和至少一个金属结构（3、5、6）的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）被共同烧结，其中所述基体（2）是压敏电阻陶瓷并且具有以下组成：

- ≥90%摩尔的ZnO，

- 0.5%至5%摩尔的Sb₂O₃，

- 0.05%至2%摩尔的Co₃O₄、Mn₂O₃、SiO₂和/或Cr₂O₃，

- <0.1%摩尔的B₂O₃、Al₂O₃和/或NiO。

2.根据权利要求1所述的多层器件（1），其中所述基体（2）具有拥有金属结构（3、5、6）的材料的掺杂物，其中所述基体（2）利用金属结构（3、5、6）的材料来掺杂，使得减小在烧结过程期间材料从金属结构（3、5、6）到基体（2）中的扩散。

3.根据权利要求2所述的多层器件（1），其中所述基体（2）具有0.1至1摩尔百分比的由金属结构（3、5、6）的材料的化学化合物构成的掺杂物。

4.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中所述陶瓷基体（2）具有Bi₂O₃。

5.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中所述基体（2）是以液相烧结的陶瓷。

6.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）具有至少一个内电极（3）和/或至少一个外金属化部（5）和/或至少一个通孔（6）。

7.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）具有拥有陶瓷基体（2）的至少一种材料的掺杂物。

8.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中金属结构（3、5、6）的厚度或横向伸展小于或等于1.5μm。

9.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）具有银。

10.根据权利要求9所述的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）具有≥99%的银。

11.根据权利要求2至3之一所述的多层器件（1），其中所述掺杂物具有氧化银或碳酸银。

12.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）具有钯。

13.根据权利要求2至3之一所述的多层器件（1），其中所述掺杂物具有钯化合物。

14.根据权利要求1至3之一所述的多层器件（1），具有至少一个钝化层（4），其中所述钝化层（4）被共同烧结，其中钝化层（4）的材料具有拥有填充材料的玻璃或陶瓷，并且其中所述材料在烧结之前被施加到所述基体（2）上。

15.根据权利要求14所述的多层器件（1），其中所述钝化层（4）利用金属结构（3、5、6）的至少一种材料来掺杂，并且其中所述掺杂高于或等于所述材料在钝化层（4）中的饱和浓度。

16.用于制造根据权利要求1至15之一所述的多层器件（1）的方法，具有以下步骤：

- 将具有陶瓷胚料的层和具有电极膏的层交替相叠地布置成层堆；

- 将所述层堆烧结成具有其间布置的内电极的陶瓷层。