[发明专利]石墨基座有效
申请号: | 201910307319.1 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN110079790B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 基座 | ||
1.一种石墨基座,所述石墨基座(100)为圆盘形结构,所述石墨基座(100)的第一圆形端面(110)设有多个用于容纳外延片的圆形槽(10),所述第一圆形端面(110)上的所有所述圆形槽(10)的圆心位于至少两个同心圆(A)上,其特征在于,所述石墨基座(100)的第一圆形端面(110)还设有至少一个第一环形槽(20),所述石墨基座(100)的第二圆形端面(120)设有至少一个第二环形槽(30);所述至少两个同心圆(A)的圆心、所述至少一个第一环形槽(20)的圆心与所述第一圆形端面(110)的圆心重合,所述至少一个第二环形槽(30)的圆心与所述第二圆形端面(120)的圆心重合,所述至少一个第二环形槽(30)的总体积大于所述至少一个第一环形槽(20)的总体积。
2.根据权利要求1所述的石墨基座,其特征在于,每个所述圆形槽(10)在所述第二圆形端面(120)上的投影与各个所述第二环形槽(30)在所述第二圆形端面(120)上的投影不重合。
3.根据权利要求2所述的石墨基座,其特征在于,所述至少一个第二环形槽(30)与所述至少一个第一环形槽(20)一一对应,每个所述第一环形槽(20)在所述第二圆形端面(120)上的投影位于对应的所述第二环形槽(30)在所述第二圆形端面(120)上的投影内。
4.根据权利要求3所述的石墨基座,其特征在于,所述第二环形槽(30)的宽度与所述第一环形槽(20)的宽度相同。
5.根据权利要求4所述的石墨基座,其特征在于,所述第一环形槽(20)的边缘与所述圆形槽(10)的边缘之间的最小距离为3mm~10mm。
6.根据权利要求3所述的石墨基座,其特征在于,所述第二环形槽(30)的宽度小于对应的所述第一环形槽(20)的宽度的3倍。
7.根据权利要求6所述的石墨基座,其特征在于,所述第二环形槽(30)的宽度等于对应的所述第一环形槽(20)相邻的两个所述同心圆(A)上所述圆形槽(10)的边缘之间的最小距离。
8.根据权利要求1~7任一项所述的石墨基座,其特征在于,所述至少两个同心圆(A)中,相邻两个所述同心圆(A)之间均设有一个所述第一环形槽(20)。
9.根据权利要求1~7任一项所述的石墨基座,其特征在于,所述第二环形槽(30)的宽度沿从所述第二圆形端面(120)的圆心向所述第二圆形端面(120)的边缘的方向逐渐减小。
10.根据权利要求1~7任一项所述的石墨基座,其特征在于,所述第二环形槽(30)的深度沿从所述第二圆形端面(120)的圆心向所述第二圆形端面(120)的边缘的方向逐渐减小。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的