[发明专利]金的刻蚀方法

说明书

本发明提供一种金的刻蚀方法，包括步骤：1)提供一基底；2)于所述基底上沉积金层；3)于所述金层上形成图形金属硬掩膜；4)基于所述图形金属硬掩膜对所述金层进行干法蚀刻，以形成图形金层；5)湿法蚀刻去除所述图形金层表面上的所述图形金属硬掩膜，覆盖在所述图形金属硬掩膜侧壁表面的金层干法刻蚀所产生的副产物被同时去除。本发明在金的干法蚀刻的时加入金属硬掩膜工艺，可以在去除金属硬掩膜的同时把残留的金副产物去除干净，可有效改善器件性能，提升良率。

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种金的刻蚀方法。

背景技术

在半导体晶圆制造工艺中，尤其是微机电系统(MEMS)晶圆制造中，金有着非常广泛的应用。但是，金由于化学特性非常稳定，无法通过干法化学反应蚀刻金，目前金的干法蚀刻都是通过离子轰击直接去除。但是如果使用传统的光刻胶做金蚀刻掩膜在金蚀刻后，剩余的金101表面会残留蚀刻过程中轰击出来的蚀刻副产物102，这些蚀刻副产物102主要成分是金，在后续的湿法清洗中由于化学特性稳定而非常难以去除，导致蚀刻副产物102残留影响器件性能，如图1所示。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种金的刻蚀方法，用于解决现有技术中金的刻蚀过程中容易产生难以去除的蚀刻副产物的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种金的刻蚀方法，所述干法刻蚀方法包括步骤：1)提供一基底；2)于所述基底上沉积金层；3)于所述金层上形成图形金属硬掩膜； 4)基于所述图形金属硬掩膜对所述金层进行干法蚀刻，以形成图形金层；5)湿法蚀刻去除所述图形金层表面上的所述图形金属硬掩膜，覆盖在所述图形金属硬掩膜侧壁表面的金层干法刻蚀所产生的副产物被同时去除。

可选地，步骤3)于所述金层上形成图形金属硬掩膜包括：3-1)于所述金层上沉积金属硬掩膜；3-2)于所述金属硬掩膜上形成光刻材料图形层；3-3)干法刻蚀所述金属硬掩膜，以形成图形金属硬掩膜；3-4)去除所述光刻材料图形层；3-5)湿法清洗去除所述金属硬掩膜干法蚀刻时所产生的副产物。

可选地，采用金属溅射工艺在所述金层上沉积所述金属硬掩膜。

可选地，步骤5)湿法蚀刻去除所述图形金属硬掩膜所使用的腐蚀液不与金反应。

可选地，所述金属硬掩膜的材料包括铝，步骤5)湿法蚀刻去除所述图形金属硬掩膜所使用的腐蚀液包括铝湿法腐蚀液。

可选地，所述金属硬掩膜的材料包括钛，步骤5)湿法蚀刻去除所述图形金属硬掩膜所使用的腐蚀液包括氨水和双氧水的混合液。

可选地，所述基底包括硅衬底，所述硅衬底上具有氧化层，所述金层沉积于所述氧化层表面。

可选地，采用金属溅射工艺在所述基底上沉积所述金层。

可选地，所述金层的厚度范围介于1纳米～10000纳米之间。

可选地，所述金属硬掩膜层的厚度范围介于2纳米～10000纳米之间。

如上所述，本发明的金的刻蚀方法，具有以下有益效果：

本发明在金的干法蚀刻的时加入金属硬掩膜工艺，可以在去除金属硬掩膜的同时把残留的金副产物去除干净。

本发明的金的干法刻蚀工艺可避免由于金蚀刻副产物残留，可有效改善器件性能，提升良率。

附图说明

图1显示为现有技术中的金的刻蚀方法中容易产生副产物残留的示意图。

图2～图9显示为本发明的金的刻蚀方法各步骤所呈现的结构示意图。

元件标号说明

201 硅衬底