[发明专利]金的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910302063.5 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111825055A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种金的刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀方法包括步骤：
1)提供一基底；
2)于所述基底上沉积金层；
3)于所述金层上形成图形金属硬掩膜；
4)基于所述图形金属硬掩膜对所述金层进行干法蚀刻，以形成图形金层；
5)湿法蚀刻去除所述图形金层表面上的所述图形金属硬掩膜，覆盖在所述图形金属硬掩膜侧壁表面的金层干法刻蚀所产生的副产物被同时去除。
2.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：步骤3)于所述金层上形成图形金属硬掩膜包括：
3-1)于所述金层上沉积金属硬掩膜；
3-2)于所述金属硬掩膜上形成光刻材料图形层；
3-3)干法刻蚀所述金属硬掩膜，以形成图形金属硬掩膜；
3-4)去除所述光刻材料图形层；
3-5)湿法清洗去除所述金属硬掩膜干法蚀刻时所产生的副产物。
3.根据权利要求2所述的金的刻蚀方法，其特征在于：采用金属溅射工艺在所述金层上沉积所述金属硬掩膜。
4.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：步骤5)湿法蚀刻去除所述图形金属硬掩膜所使用的腐蚀液不与金反应。
5.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：所述金属硬掩膜的材料包括铝，步骤5)湿法蚀刻去除所述图形金属硬掩膜所使用的腐蚀液包括铝湿法腐蚀液。
6.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：所述金属硬掩膜的材料包括钛，步骤5)湿法蚀刻去除所述图形金属硬掩膜所使用的腐蚀液包括氨水和双氧水的混合液。
7.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：所述基底包括硅衬底，所述硅衬底上具有氧化层，所述金层沉积于所述氧化层表面。
8.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：采用金属溅射工艺在所述基底上沉积所述金层。
9.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：所述金层的厚度范围介于1纳米～10000纳米之间。
10.根据权利要求1所述的金的刻蚀方法，其特征在于：所述金属硬掩膜层的厚度范围介于2纳米～10000纳米之间。
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