[发明专利]一种栅驱动工艺的高压自屏蔽结构

权利要求书

1.一种栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于，至少包括：

高耐压场效应管、高耐压隔离环、连接于所述高耐压场效应管与所述高耐压隔离环之间的高压互连区；所述高耐压场效应管、高压互连区、高耐压隔离环三者构成封闭环式的高压自屏蔽结构；

所述高压互连区的横截面结构为狭长弧度结构，用于产生可调的寄生N-EPI电阻。

2.根据权利要求1所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：位于所述高压自屏蔽结构内部的区域为高端电压区域，位于所述高压自屏蔽结构外部的区域为低端电压区域。

3.根据权利要求1所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述高压自屏蔽结构的横截面内部区域为方形区域；所述高耐压场效应管为LDMOS，并且构成所述高压自屏蔽结构的所述LDMOS部分位于所述封闭环的两端。

4.根据权利要求3所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述高压自屏蔽结构两端的LDMOS部分，其横截面为圆弧形，所述圆弧形的LDMOS部分连接于横截面为狭长弧形结构的高压互连区。

5.根据权利要求4所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述横截面为圆弧形的LDMOS部分，其漏极VD位于所述圆弧形的内部。

6.根据权利要求5所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述LDMOS部分包括：P型基底、位于所述P型基底上的外延层，靠近所述低端电压区域的所述LDMOS的源极，靠近所述高压互连区的所述LDMOS的漏极，位于所述源极和漏极之间的栅极。

7.根据权利要求6所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：在所述LDMOS的源极下方的所述外延区中设有P阱，所述P阱中具有P型重掺杂区和N型重掺杂区；在所述LDMOS源极和漏极之间的外延区表面具有场氧化区，分别连接于栅极和漏极的场板覆盖所述场氧化区的两端，所述LDMOS部分的漏极下方的所述外延区中设有N型重掺杂区。

8.根据权利要求7所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述LDMOS部分和所述低端电压区域的交界处设有高压P阱和位于所述高压P阱上的P型埋层，所述高压P阱位于所述外延层中，所述P型埋层位于所述P型基底和所述外延层的交界处。

9.根据权利要求5或8所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述高压互连区包括：P型基底、位于所述P型基底上的外延区以及位于所述外延区上的场氧化区；其中，所述高压互连区中的所述外延区构成所述高压自屏蔽结构的所述寄生N-EPI电阻，该寄生N-EPI电阻的横截面结构位于所述高压互连区的所述狭长弧度结构中。

10.根据权利要求9所述的栅驱动工艺的高压自屏蔽结构，其特征在于：所述高端电压区域包括：P型基底、位于所述P型基底上的外延层、位于所述P型基底与所述外延层交界处的N型埋层；位于所述外延层表面处的N型重掺杂区，位于所述N型重掺杂区上方的电源VB。