[发明专利]一种半导体存储装置及计算机系统有效

专利信息
申请号: 201910278401.6 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN110047537B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 万胤岳;周介龙 申请(专利权)人: 无锡科技职业学院
主分类号: G11C14/00 分类号: G11C14/00
代理公司: 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 代理人: 储振
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 存储 装置 计算机系统
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置(100),所述半导体存储装置(100)通过系统总线与主机(107)相连,其特征在于,包括:

易失性存储器(103)、第一非易失性存储器(102)、通过接口模块(108)与主机(107)通讯的存储控制器(101),所述存储控制器(101)响应于所述主机(107)的电源信号和控制信号,并择一地与所述易失性存储器(103)或第一非易失性存储器(102)进行数据存取操作;

所述半导体存储装置(100)还包括与所述存储控制器(101)相连的第二非易失性存储器(105),所述存储控制器(10)根据主机(107)的电源信号,并以电源状态数据的形式保存至所述第二非易失性存储器(105),所述存储控制器(101)与主机(107)之间设置内核旁路模块(109);

所述存储控制器(101)基于FPGA芯片或者ASIC芯片平台,并采用Verilog或者VHDL编程技术所形成;

所述存储控制器(101)配置MMAP接口(111),并通过所述MMAP接口(111)与接口模块(108)相通信;

所述内核旁路模块(109)选自DPDK模块或者SPDK模块;

所述半导体存储装置(100)仅在异常掉电时将易失性存储器(103)中临时保存的数据写入第一非易失性存储器(102)中,而在正常开关机时不将易失性存储器(103)中临时保存的数据写入第一非易失性存储器(102)中。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,所述第二非易失性存储器(105)为ReRAM、FRAM;所述第一非易失性存储器(102)为NAND存储器、相变存储器。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,还包括电源管理模块(104)以及与其连接备用储能装置(106),所述备用储能装置(106)选自超级电容或者锂电池,所述电源管理模块(104)与第一非易失性存储器(102)、第二非易失性存储器(105)、易失性存储器(103)及存储控制器(101)提供电源。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,所述接口模块(108)基于PCI-e通讯协议或者I2C通讯协议与系统总线相互通信。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其特征在于,所述第二非易失性存储器(105)的容量不小于1MB。

6.一种计算机系统(200),其特征在于,包括:处理器,以及通过系统总线与主机(107)相连的半导体存储装置(100);

所述半导体存储装置(100)包括易失性存储器(103)、第一非易失性存储器(102)、通过接口模块(108)与主机(107)通讯的存储控制器(101),所述存储控制器(101)响应于所述主机(107)的电源信号和控制信号,并择一地与所述易失性存储器(103)或第一非易失性存储器(102)进行数据存取操作;

所述半导体存储装置(100)还包括与所述存储控制器(101)相连的第二非易失性存储器(105),存储控制器(10)根据主机(107)的电源信号以电源状态数据的形式保存至所述第二非易失性存储器(105),所述存储控制器(101)与主机(107)之间设置内核旁路模块(109);

所述存储控制器(101)基于FPGA芯片或者ASIC芯片平台,并采用Verilog或者VHDL编程技术所形成;

所述存储控制器(101)配置MMAP接口(111),并通过所述MMAP接口(111)与接口模块(108)相通信;

所述内核旁路模块(109)选自DPDK模块或者SPDK模块;

所述计算机系统(200)仅在异常掉电时将易失性存储器(103)中临时保存的数据写入第一非易失性存储器(102)中,而在正常开关机时不将易失性存储器(103)中临时保存的数据写入第一非易失性存储器(102)中。

7.根据权利要求6所述的计算机系统,其特征在于,所述第一非易失性存储器(102)为NAND存储器、相变存储器;所述第二非易失性存储器(105)为ReRAM、FRAM。

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