[发明专利]一种二氧化硅纳米银线减反射薄膜的制备方法

说明书

本发明涉及了一种二氧化硅纳米银线减反射薄膜的制备方法，以乙二醇为还原剂和溶剂、硝酸银为根源，FeCL3·6H2O氯化铁为络合诱导剂，PVP活性引发剂结构调节、制备出直径10‑30 nm的纳米银线，然后在乙醇中以二氧化硅为壳层包覆纳米银线制备出壳层结构的纳米复合材料AgSiO2，再次加入甲醇和超纯水溶液混合均匀后用孔径为减压抽滤，得到薄膜通过热压法转移至经过亲水改性的PET上丙酮洗去滤膜。

技术领域

本发明涉及两种以上的金属分子元素沉积以液固态的形式沉积在一块基板上的制备技术领域，特别是涉及一种二氧化硅纳米银线减反射薄膜的制备方法，属于包覆离子晶核合成技术。

背景技术

众所周知，银、铜是常温下导电性最好的金属导体，生活中的导线就是由铜制成的。当将银、铜做成纳米线尺寸时，它们会体现出不同的光学性能与电学性能。通过紫外．可见分光吸收谱图可以看出，纳米银线的吸收峰在380nm处左右，属于紫外区，而在可见光(400nm～780nm)范围内基本没有吸收，因此纳米银线基本上是透明的。有些研究表明，随着纳米银线直径减小，长径比增大，其在380nm处的吸收峰会蓝移至370nto甚至365nm处，并且纳米银线越纯，其溶液在可见光区(400rim～780nm)吸收值越小，所得到的透明导电薄膜透光率越高。

研究表明纳米银线的一维生长受到阴离子的影响更为明显。这主要取决于阴离子与银离子结合所得产物的溶解度（溶度积常数）不同，即Ｋｓｐ（ＡｇＣｌ）＜Ｋｓｐ（Ａｇ２Ｓ〇４）＜Ｋｓｐ（ＡｇＮ〇３）。Ｋｓｐ的数值越小Ａｇ＋的还原速率越慢，越有利于多重李晶种的合成进纳米银线的各向异性一维生长。

在电学性能方面，纳米银线长度越长，一条纳米银线可能与更多条的纳米银线发生搭接，整个纳米银线网络便会存在更多的接点，这样电子传输的通路就会变多，导电性变好。同时，电子在纳米银线中传导速率要远大于在搭接处的传导速率，因此在搭接点同样多的情况下，长度长的纳米银线网络导电性会更好。

研究表明在纳米银线二维材料领域，普通的银材料所制备出的减反射薄膜目前存在光学透过性能较低，薄膜反射性能较高的问题。在二维和三维纳米银材料所制备的减反射薄膜中由于其微观形貌的原因导致其等离子体共振效应较弱，薄膜对入射光存在较大的散射等问题。纳米银线薄膜于其在薄膜中存在较多的通光孔Ｗ及纳米银线较强的等离子体共振效应而具有较好的减反射性能。

此外，纳米二氧化硅无毒、无味、无污染，颗粒尺寸小，比表面积大，表面存在大量不饱和键及不同键合状态的羟基，包覆纳米银线会使形成二氧化硅基纳米银包覆体或者说结晶体，其性能如粘结性、耐高温性、成膜性、凝胶性、荷电性显著提高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种二氧化硅纳米银线减反射薄膜的制备方法；为了实现上述目的，本发明的一种二氧化硅纳米银线减反射薄膜的制备方法；其包括如下步骤：

S1、PET表面亲水性处理；

S2、将5g的 PVP（MW=50000）倒入装有200 mL的乙二醇( EG) 置于的磁力搅拌中，待有凝胶状软体生成附着在烧杯壁上时，用一定量的 EG 冲洗后倒入三口烧瓶，得到溶液A，

S3、油浴加热稳定后; 加入AgCI和AgNO3混混合液再次加入乙二醇溶液，最后再将它分别和一定量的 EG 混合搅拌溶解得到溶液B；

S4、将溶液 B 逐滴缓慢地加入到溶液A中，溶液逐渐地由无色透明状变为淡蓝色胶体状，待最终变为乳白色并带有金属光泽的溶液后，持续加热 10 min 后停止反应；

S5、静置让其自然冷却之后，取出上层清液，下层沉淀便是纳米银线，若沉淀完全，则用乙醇洗涤沉淀数次，之后将沉淀溶解在乙醇中待用; 若沉淀不完全需将上清液进行离心3-4次得到沉淀后，再用乙醇进行清洗和保存；