[发明专利]溅射装置

说明书

本发明目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀。在配置于基板（16）的周围的阳极电极（17）的短边的部分之上配置块电极（18a、18b），使靶极（13）与接地电位之间的距离在块电极（18a、18b）上变短。在距跑道形形状的等离子区域（10）的两端附近较近的基板（16）上的部位容易形成强度较大的等离子，但由于在块电极（18a、18b）上形成强度较大的等离子，所以在基板（16）上等离子均匀化，在基板（16）上形成的薄膜的面内的特性分布变得均匀。

技术领域

本发明涉及溅射技术，特别涉及使金属薄膜的面内的特性分布成为均匀的溅射技术。

背景技术

借助溅射方法进行的薄膜形成是被广泛使用的技术，近年来，为了在大型基板上形成薄膜，要求在大面积基板上形成特性分布均匀的薄膜的技术。

图6（俯视图和E－E线、F－F线截断剖视图）的等离子装置102在阴极电极112的表面配置有靶极113，在背面设置有多个磁铁装置115₁～115₅，所述磁铁装置115₁～115₅在磁轭127上配置有外周磁铁125和内侧磁铁126，如果靶极113被溅射，则在与靶极113面对而配置在基板配置部114上的基板116的表面上形成薄膜。

在基板116的外周上配置有阳极电极117，使得在靶极113表面上形成的等离子变得均匀。

但是，基板116更加大型化，随之而靶极113及磁铁装置115₁～115₅大型化，结果在基板116的距短边较近的区域和其之间的中央的部分上，形成的薄膜的特性的差异变大。

如果短边部分的薄膜的电阻值与中央部分的薄膜的电阻值较大地不同，则在基板表面上形成的发光层的发光分布不同，成为不均匀的明亮度的画面。

在下述专利文献中，记载有配置与能够移动的磁控管等离子连动的接地电位电极而实现了膜质及膜厚的均匀化的对应于大型基板的磁控管溅射装置。

专利文献1：日本特开平07－331433号公报。

发明内容

本发明是为了解决上述以往技术的不良状况而做出的，其目的是使在大型基板表面上形成的薄膜的特性分布变得均匀，特别是使距细长的磁控管磁铁的端部较近的基板的边缘附近的区域的薄膜特性与基板的中央附近的区域的薄膜特性的差异变小。

为了解决上述课题，本发明是一种溅射装置，具有：真空槽；靶极，配置在前述真空槽的内部；阴极电极，与配置在前述靶极的背面侧的溅射电源连接；多个磁铁装置，配置在前述阴极电极的背面侧；基板配置部，配置基板；以及环形形状的阳极电极，连接在接地电位上，在前述基板的外周上覆盖；在各前述磁铁装置中，设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁；在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面，将前述靶极溅射，在前述基板表面上形成薄膜；前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开，作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离子区域被设成细长的环形形状；在前述等离子区域的两端与前述基板的表面所位于的平面之间，配置有厚度比前述阳极电极厚并连接到接地电位的块电极；使前述块电极的表面与前述靶极的表面之间的TB距离比前述阳极电极的表面与前述靶极的表面之间的TA距离短。

本发明是一种溅射装置，使前述TB距离比前述靶极的表面与配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之间的TS距离的10%大、比90%小。

本发明是一种溅射装置，前述靶极是平板状的金属钼板，前述薄膜是金属钼薄膜。

在基板表面中，距细长的磁控管磁铁的端部较近的部位与基板的中央的部位的薄膜特性的差异变小。

结果，关于在长方形基板上形成的薄膜的特性，短边附近的区域的特性和被该区域夹着的中央附近的区域的特性变得均匀。