[发明专利]一种掩膜图案的形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种掩膜图案的形成方法。本发明实施例通过旋转原始图案数据中符合预定条件的原始多边形，能够提高形成掩膜图案的准确性和可循环性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜图案的形成方法。

背景技术

随着集成电路的制造工艺的不断发展，现有的集成电路的特征尺寸不断减小。然而光刻制程成为了限制集成电路向更小特征尺寸制作发展的主要瓶颈。光刻制程主要的原理是通过光源将掩膜(mask)上集成电路的设计版图投影在晶圆上。在光刻工艺开始之前，集成电路的结构会先通过特定的设备复制到石英玻璃片的掩膜上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(如波长为248微米的紫外线)将掩膜上集成电路的结构复制到生产芯片所用的硅片上。

然而，现有的形成掩膜图案的方法的准确性以及可循环性还有待提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种掩膜图案的形成方法，提高形成掩膜图案的方法的准确性以及可循环性。本发明实施例所述的掩膜图案的形成方法包括：

根据原始图案数据中相邻的原始多边形的节距确定待旋转多边形，所述原始多边形用于限定通孔图案；

旋转所述原始图案数据中的所述待旋转多边形，获得旋转图案数据，所述旋转图案数据包括多个旋转后的多边形；

对所述旋转图案数据进行光学近似效应修正，以获得掩膜图案数据。

进一步地，所述根据原始图案数据中相邻的原始多边形的节距确定待旋转多边形，包括：

将节距小于预定尺寸的原始多边形确定为待旋转多边形，所述预定尺寸根据所述掩膜图案的衍射规则和所述通孔的大小确定。

进一步地，所述预定尺寸为120nm。

进一步地，所述旋转所述原始图案数据中的所述待旋转多边形，包括：

根据相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角确定旋转角度；

用具有旋转角度的多边形替换待旋转多边形，或

根据旋转角度旋转待旋转多边形。

进一步地，所述根据相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角确定旋转角度，包括：

将相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角为15°～75°的原始多边形的旋转角度确定为25°～65°。

进一步地，所述根据相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角确定旋转角度，包括：

将相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角为15°～75°的原始多边形的旋转角度确定为45°。

进一步地，所述根据相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角确定旋转角度，包括：

将相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角为15°～30°的原始多边形的旋转角度确定为30°；

将相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角为30°～60°的原始多边形的旋转角度确定为45°；

将相邻的原始多边形的中心点连线和坐标轴之间的夹角为60°～75°的原始多边形的旋转角度确定为60°。

进一步地，所述旋转角度的大小和相邻的原始多边形的中心点连线和横坐标轴之间的夹角的大小正相关。

进一步地，所述原始多边形为矩形。

进一步地，所述对所述旋转图案数据进行光学近似修正，包括：

通过实际曝光或仿真的方法获取掩膜图案数据。