[发明专利]传感器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910251254.3 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN110324772B 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 杨辰雄;郑钧文;朱家骅;陈恩湛 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 传感 器件 及其 制造 方法
【说明书】:

微机电系统(MEMS)麦克风包括第一膜,第二膜,设置在第一膜和第二膜之间的第三膜,设置在第一膜和第三膜之间并由第一壁围绕的第一腔体,设置在第二膜和第三膜之间并被第二壁围绕的第二腔体,并且一个或多个第一支撑件设置在第一腔体中并连接第一膜和第三膜。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。

技术领域

本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。

背景技术

最近开发了微机电系统(MEMS)器件。MEMS器件包括使用半导体技术制造的器件,以形成机械和电气部件。MEMS器件在压力传感器,麦克风,致动器,镜子,加热器和/或打印机喷嘴中实现。尽管用于形成MEMS器件的现有器件和方法通常已经足够用于它们的预期目的,但它们在所有方面都不是完全令人满意的。

发明内容

根据本发明的一些实施例,提供了一种微机电系统(MEMS)麦克风,包括:第一膜;第二膜;第三膜,设置在所述第一膜和所述第二膜之间;第一腔体,设置在所述第一膜和所述第三膜之间,并由第一壁围绕;第二腔体,设置在所述第二膜和所述第三膜之间,并由第二壁围绕;和一个或多个第一支撑件,设置在所述第一腔体中并连接所述第一膜和所述第三膜。

根据本发明的另一些实施例,还提供了一种微机电系统(MEMS)麦克风,包括:第一膜片,由多晶硅制成;第二膜片,由多晶硅制成;基板,由多晶硅制成,并且设置在所述第一膜片和所述第二膜片之间;第一腔体,设置在所述第一膜片和所述基板之间,并由第一壁围绕;第二腔体,设置在所述第二膜片和所述基板之间,并由第二壁围绕;声孔,穿过所述基板;第一柱,设置在所述第一腔体中并连接所述第一膜片和所述基板;第二柱,设置在所述第二腔体中并连接所述第二膜片和所述基板;第一电极,电耦合至所述第一膜片;第二电极,电耦合至所述第二膜片;和第三电极,电耦合至所述基板。

根据本发明的又一些实施例,还提供了一种制造微机电系统(MEMS)麦克风的方法,所述方法包括:在衬底上方形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上方形成第一半导体层;在所述第一半导体层上方形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层中形成第一通孔;在所述第二绝缘层上方形成第二半导体层,并通过用所述第二半导体层的一部分填充所述第一通孔来形成第一柱;在所述第二半导体层中形成第一通孔;在所述第二半导体层上方形成第三绝缘层;在所述第三绝缘层中形成第二通孔;在所述第三绝缘层上方形成第三半导体层,并通过用所述第三半导体层的一部分填充所述第二通孔来形成第二柱;在所述第三半导体层中形成释放孔;通过穿过所述释放孔部分地蚀刻所述第三绝缘层形成第一腔体,并通过穿过所述第一腔体和所述通孔部分地蚀刻所述第二绝缘层来形成第二腔体,其中,所述第一柱设置在所述第一腔体中,并且所述第二柱设置在所述第二腔体中。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A和1B示出了根据本公开的实施例的MEMS麦克风的示意性平面图。

图2A和2B示出了根据本公开的实施例的MEMS麦克风的示意性截面图。图2A对应于图1A的线X1-X1,图2B对应于图1A的线X2-X2。

图2C示出了根据本公开的另一实施例的MEMS麦克风的示意性截面图。

图3A示出了根据本公开的实施例的MEMS麦克风中的支撑结构的示意性截面图。图3B示出了根据本公开的实施例的MEMS麦克风中的支撑结构的示意性平面图。图3C示出了根据本公开另一实施例的MEMS麦克风中的支撑结构的示意性平面图。图3D示出了根据本公开另一实施例的MEMS麦克风中的支撑结构的示意性平面图。图3E示出了根据本公开另一实施例的MEMS麦克风中的支撑结构的示意性平面图。

图3F示出了根据本公开的实施例的MEMS麦克风中的通气孔结构的示意性截面图。图3G示出了根据本公开的实施例的MEMS麦克风中的通气孔结构的示意性平面图。

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