[发明专利]一种OLED基板及其制备方法、OLED显示装置有效
申请号: | 201910245000.0 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109962177B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 高昕伟;李朋;臧丹丹;陈琦鹤;刘小宁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED基板,划分为发光区和非发光区,其特征在于,所述OLED基板包括:
设置在所述发光区的第一电极层和所述非发光区的辅助电极层;所述第一电极层包括多个第一电极,所述辅助电极层包括多个辅助电极;所述第一电极和所述辅助电极相互绝缘;
设置在所述第一电极层和所述辅助电极层上的像素界定层,所述像素界定层位于所述非发光区;
其中,所述辅助电极设置在相邻两行发光区之间的非发光区,所述像素界定层在同一行辅助电极中相邻两个辅助电极之间具有第一镂空区域,且所述第一镂空区域露出同一行辅助电极中相邻两个辅助电极相互靠近的侧面;
或,辅助电极设置在相邻列发光区之间的非发光区,所述像素界定层在同一列辅助电极中相邻两个辅助电极之间具有第一镂空区域,且所述第一镂空区域露出同一列辅助电极中相邻两个辅助电极相互靠近的侧面;
设置在所述像素界定层上的发光功能层;所述发光功能层在所述第一镂空区域的边界断开,以露出所述辅助电极的侧面;
设置在所述发光功能层上的第二电极层,所述第二电极层与所述辅助电极的侧面接触。
2.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述像素界定层位于所述第一镂空区域的侧面向靠近该所述第一镂空区域中心的方向凸起。
3.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述辅助电极的厚度为50nm~1.5μm。
4.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述辅助电极设置在相邻两行所述发光区之间的所述非发光区;
其中,每行所述发光区沿栅线延伸方向依次排列。
5.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述辅助电极的侧面为所述辅助电极的侧面中未朝向所述第一电极的侧面。
6.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述辅助电极为单层结构,所述辅助电极的材料包括Mo、Cu、Ag、Nb中的一种或多种;
或者,所述辅助电极为三层叠层结构,中间层的材料为Al,两侧的材料为Mo。
7.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的OLED基板以及用于封装所述OLED基板的封装层。
8.一种OLED基板的制备方法,所述OLED基板划分为发光区和非发光区,其特征在于,所述OLED基板的制备方法包括:
在基底上形成位于所述发光区的第一电极层和位于所述非发光区的辅助电极层;所述第一电极层包括多个第一电极;所述辅助电极层包括多个辅助电极;所述第一电极和所述辅助电极相互绝缘;
在所述第一电极层和所述辅助电极层上形成像素界定层,所述像素界定层位于所述非发光区;
其中,所述辅助电极设置在相邻两行发光区之间的非发光区,所述像素界定层在同一行辅助电极中相邻两个辅助电极之间具有第一镂空区域,且所述第一镂空区域露出同一行辅助电极中相邻两个辅助电极相互靠近的侧面;
或,辅助电极设置在相邻列发光区之间的非发光区,所述像素界定层在同一列辅助电极中相邻两个辅助电极之间具有第一镂空区域,且所述第一镂空区域露出同一列辅助电极中相邻两个辅助电极相互靠近的侧面;
在所述像素界定层上形成发光功能层;所述发光功能层在所述第一镂空区域的边界断开,以露出所述辅助电极的侧面;
在所述发光功能层上形成第二电极层,所述第二电极层与所述辅助电极的侧面接触。
9.根据权利要求8所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述像素界定层位于所述第一镂空区域的侧面向靠近该所述第一镂空区域中心的方向凸起。
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