[发明专利]一种显示基板的制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

采用光刻工艺在衬底的一侧形成图案化的金属层的步骤；

在所述图案化的金属层背离衬底的一侧形成非金属结构层的步骤；

其中，在形成图案化的金属层之后，形成所述非金属结构层之前，还包括：

采用等离子轰击图案化的金属层背离衬底一侧的表面以去除残留的光刻胶的步骤；

形成所述非金属结构层之后，还包括：

形成图案化的有源层；

形成源漏极；

沉积形成钝化层，所述钝化层包括低温钝化层和高温钝化层，所述高温钝化层位于所述低温钝化层背离所述有源层的一侧，所述低温钝化层采用SiO膜层，沉积所述低温钝化层的过程中的温度在170～250℃之间，成膜功率小于13kW，采用的气体包括：N₂O与SiH₄，N₂O与SiH₄的比例大于或等于90:1，以保证所述有源层的背沟道界面有足够的易激发空穴-电子对；所述高温钝化层采用SiO与SiON的复合膜层或SiO与SiN复合膜层。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在采用等离子轰击图案化的金属层背离衬底一侧的表面之后，形成所述非金属结构层之前，还包括：

形成内应力缓冲层的步骤；其中，所述图案化的金属层与内应力缓冲层的内应力差值小于200Mpa；所述内应力缓冲层与非金属结构层的内应力差值小于200Mpa。

3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述等离子轰击包括采用N₂、NH₃、H₂中的任意一种或几种的混合气体进行轰击。

4.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述内应力缓冲层采用绝缘材料形成；所述内应力缓冲层的内应力范围为0-200Mpa。

5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述图案化的金属层包括栅极，所述非金属结构层包括栅极绝缘层。

6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述栅极采用铜金属形成，所述铜金属的厚度大于4500埃。

7.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层采用SiO/SiN形成。

8.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述源漏极采用含铜的金属沉积形成。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的方法制备的显示基板。