[发明专利]图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法

说明书

本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法，涉及LED蓝宝石衬底加工领域，包括：将报废的图形化蓝宝石衬底重制成平面衬底；清洗平面衬底；在平面衬底表面沉积SiO₂膜层；将光刻胶掩膜图形转移到SiO₂膜层，在SiO₂膜层的表面腐蚀出至少一个SiO₂微结构，得到图形化衬底；在图形化衬底的表面镀AlN膜层。通过增加SiO₂膜层，以SIO₂微结构取代AL₂O₃微结构，改善了光在蓝宝石基LED器件中的传播路径，减少了折射与吸收，增加了全反射，因此有利于提升光效，且能避免对重制得到的蓝宝石衬底进行刻蚀，从而避免刻蚀过程对蓝宝石衬底的伤害，减少衬底应力变化，有利于提高结晶质量以及成品良率。

技术领域

本发明涉及LED蓝宝石衬底加工技术领域，更具体地，涉及一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法。

背景技术

随着LED领域工艺技术的发展，对图形化蓝宝石衬底的研究不断深入，现在各个LED外延芯片厂家大多数都采用图形化蓝宝石衬底，提高LED器件的光提取效率。

在图形化蓝宝石衬底规模化生产时，因为黄光微影过程或蚀刻工艺不良以及设备异常等因素，导致工艺完成时产生无法出货的图形化蓝宝石衬底报废品。由于蓝宝石衬底属于高成本主材，蓝宝石从平片到图案化完成积累了不少的加工成本。如果能将积累的图形化蓝宝石衬底报废品进行重制，使其成为合格的图形化蓝宝石衬底，可以有效节约成本。报废品重制时，需要对衬底进行重新研磨抛光，衬底被磨薄，容易影响黄光微影良率，且对蓝宝石进行刻蚀时，等离子体容易造成衬底应力变化，进而影响磊晶工艺的结晶质量及良率。因此，本申请提出了一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法，通过增加SiO₂膜层，以SIO₂微结构取代AL₂O₃微结构，改善了光在蓝宝石基LED器件中的传播路径，减少了折射与吸收，增加了全反射，因此有利于提升光效；在SiO₂膜层上形成SiO₂微结构，而不对重制得到的蓝宝石衬底进行刻蚀，避免了刻蚀过程对蓝宝石衬底的伤害，减少衬底的应力变化，从而有利于提高结晶质量以及成品良率。

为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：

本申请提供一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法，其特征在于，包括：

将报废的图形化蓝宝石衬底进行研磨、清洗以及抛光处理，将报废的图形化蓝宝石衬底表面的图形层磨掉，重制成平面衬底；

清洗所述平面衬底；

在清洗后的所述平面衬底表面沉积SiO₂膜层，具体为：设定温度为250℃-350℃，射频功率为200W-300W，腔体压力为550mT-700mT，向所述腔体通入25sccm-40sccm的SiH₄、700sccm-850sccm的N₂O，再在清洗后的所述平面衬底表面沉积SiO₂膜层，沉积时间为35min-50min，所沉积的所述SiO₂膜层的厚度为L1，1.8um≤L1≤2.5um；

在沉积有所述SiO₂膜层的平面衬底上制作光刻胶掩膜图形；