[发明专利]基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置及方法

权利要求书

1.基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置，其特征在于，包括电容C1、电容C2、三极管V1至V4、二极管D1至D4、电源U1、电源U2和负载R；

电源U1的正极同时连接电容C1的正极、三极管V1的集电极和二极管D1的阴极，三极管V1的发射极连接三极管V2的集电极，二极管D1的阳极连接二极管D2的阴极，电源U1的负极同时连接电容C1的负极、三极管V2的发射极和二极管D2的阳极，电源U2的正极同时连接电容C2的正极、三极管V3的集电极和二极管D3的阴极，三极管V3的发射极连接三极管V4的集电极，二极管D3的阳极连接二极管D4的阴极，电源U2的负极同时连接电容C2的负极、三极管V4的发射极、二极管D4的阳极和电源U1的负极，负载R的一端同时连接三极管V1的发射极和二极管D1的阳极，负载R的另一端同时连接三极管V3的发射极和二极管D3的阳极；

双靶形成负载R，负载R两端的电压即双靶之间的电压。

2.根据权利要求1所述的基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置，其特征在于，放电过程中分两个阶段：

三极管V1和三极管V4导通，三极管V2和三极管V3关断，负载R两端的电压由电源U1控制；

三极管V2和三极管V3导通，三极管V1和三极管V4关断，负载R两端的电压由电源U2控制。

3.根据权利要求1所述的基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置，其特征在于，三极管V₁和三极管V₂的基极加有一对相位相反的控制脉冲，三极管V₃和三极管V₄的基极加有一对相位相反的控制脉冲，三极管V₃基极的控制脉冲的相位落后三极管V₁基极的控制脉冲的相位的角度为θ，0°θ180°。

4.基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

通过控制电源U1和电源U2的电压值控制薄膜的掺杂含量；

该方法采用权利要求2所述的基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的装置实现。

5.根据权利要求4所述的基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的方法，其特征在于，还通过控制电压的正负脉冲脉宽和正负脉冲间隔时间控制薄膜的掺杂含量。

6.根据权利要求4所述的基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的方法，其特征在于，靶施加设定的基底偏压。

7.根据权利要求4所述的基于异质双靶高功率脉冲磁控溅射制备掺杂类薄膜的方法，其特征在于，还通过控制电源U1和电源U2的电压值、电压的正负脉冲脉宽、正负脉冲间隔时间控制薄膜的结构状态。