[发明专利]磁性存储器

说明书

一种磁性存储器，包括：位线、第一字线、源线与存储单元，其中：所述存储单元包括：第一开关管和磁性隧道结，所述磁性隧道结的第一侧与所述第一开关管的第一端连接；所述位线，与所述第一开关管的第二端连接；所述源线，与所述磁性隧道结的第二侧连接；所述第一字线，与所述第一开关管的第三端连接。采用上述方案，避免漏电流经未被选中进行操作的存储单元的磁性隧道结，进而避免串扰的产生，提升磁性存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种磁性存储器。

背景技术

磁性存储器是用于存储数据的器件，其数据写入的方式是通过在存储单元中的磁性隧道结周围产生磁场进行写入。

在磁性存储器中包括多个存储单元(Cell)，在对磁性存储器进行读出操作或写入操作时，通常不会同时对磁性存储器中所有的存储单元进行操作。由于磁性存储器在工作时位线(Bit line)上加载高压，会有漏电流经部分未被选中操作的存储单元的磁性隧道结，进而产生串扰，降低磁性存储器的可靠性。

发明内容

本发明解决的技术问题是存在漏电流经未被选中进行操作的存储单元的磁性隧道结。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种磁性存储器，包括：位线、第一字线、源线与存储单元，其中：所述存储单元包括：第一开关管和磁性隧道结，所述磁性隧道结的第一侧与所述第一开关管的第一端连接；所述位线，与所述第一开关管的第二端连接；所述源线，与所述磁性隧道结的第二侧连接；所述第一字线，与所述第一开关管的第三端连接。

可选的，在对所述存储单元进行读出操作或写入操作时，所述位线与所述源线之间形成第一电势差，所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压，所述第一开关管的第一端与第二端之间导通。

可选的，在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时，所述位线与所述源线之间形成第二电势差，所述第一字线不向所述第一开关管的第三端加载电压，所述第一开关管的第一端与第二端之间断开。

可选的，所述第一开关管为MOS管；所述MOS管的漏极与所述位线连接，源极与所述磁性隧道结的第一侧连接，栅极与所述第一字线连接。

可选的，还包括第二开关管与第二字线，其中：所述第二开关管，第一端与所述源线连接，第二端与所述磁性隧道结的第二侧连接，第三端与所述第二字线连接。

可选的，在对所述存储单元进行读出操作或写入操作时，所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压，所述第二字线向所述第二开关管的第三端加载电压，所述第一开关管的第一端与第二端之间导通，所述第二开关管的第一端与第二端之间导通。

可选的，在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时，若所述位线上的电压高于所述源线上的电压，所述第一字线不向所述第一开关管的第三端加载电压，所述第二字线向所述第二开关管的第三端加载电压，所述第一开关管的第一端与第二端之间断开，所述第二开关管的第一端与第二端之间导通。

可选的，在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时，若所述位线上的电压低于所述源线上的电压，所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压，所述第二字线不向所述第二开关管的第三端加载电压，所述第一开关管的第一端与第二端之间导通，所述第二开关管的第一端与第二端之间断开。

可选的，所述第二开关管为MOS管；所述MOS管的漏极与所述磁性隧道结的第二侧连接，源极与所述源线连接，栅极与所述第二字线连接。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：