[发明专利]磁性存储器有效
| 申请号: | 201910184457.5 | 申请日: | 2019-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN111696600B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
| 发明(设计)人: | 王韬 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C7/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李笑笑;吴敏 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁性 存储器 | ||
1.一种磁性存储器,其特征在于,包括:位线、第一字线、源线与存储单元,第二开关管与第二字线,其中:
所述存储单元包括:第一开关管和磁性隧道结,所述磁性隧道结的第一侧与所述第一开关管的第一端连接;
所述位线,与所述第一开关管的第二端连接;
所述第一字线,与所述第一开关管的第三端连接;
所述第二开关管,第一端与所述源线连接,第二端与所述磁性隧道结的第二侧连接,第三端与所述第二字线连接;
所述第一开关管为MOS管;所述MOS管的漏极与所述位线连接,源极与所述磁性隧道结的第一侧连接,栅极与所述第一字线连接;
在对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第二字线向所述第二开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间导通,所述第二开关管的第一端与第二端之间导通;
在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,若所述位线上的电压低于所述源线上的电压,所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第二字线不向所述第二开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间导通,所述第二开关管的第一端与第二端之间断开;
在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,若所述位线上的电压高于所述源线上的电压,所述第一字线不向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第二字线向所述第二开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间断开,所述第二开关管的第一端与第二端之间导通。
2.根据权利要求1所述的磁性存储器,其特征在于,在对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,所述位线与所述源线之间形成第一电势差,所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间导通。
3.根据权利要求1所述的磁性存储器,其特征在于,在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,所述位线与所述源线之间形成第二电势差,所述第一字线不向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间断开。
4.根据权利要求1所述的磁性存储器,其特征在于,所述第二开关管为MOS管;所述MOS管的漏极与所述磁性隧道结的第二侧连接,源极与所述源线连接,栅极与所述第二字线连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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