[发明专利]磁性存储器有效

专利信息
申请号: 201910184457.5 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN111696600B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 王韬 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C11/15 分类号: G11C11/15;G11C7/22
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李笑笑;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 磁性 存储器
【权利要求书】:

1.一种磁性存储器,其特征在于,包括:位线、第一字线、源线与存储单元,第二开关管与第二字线,其中:

所述存储单元包括:第一开关管和磁性隧道结,所述磁性隧道结的第一侧与所述第一开关管的第一端连接;

所述位线,与所述第一开关管的第二端连接;

所述第一字线,与所述第一开关管的第三端连接;

所述第二开关管,第一端与所述源线连接,第二端与所述磁性隧道结的第二侧连接,第三端与所述第二字线连接;

所述第一开关管为MOS管;所述MOS管的漏极与所述位线连接,源极与所述磁性隧道结的第一侧连接,栅极与所述第一字线连接;

在对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第二字线向所述第二开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间导通,所述第二开关管的第一端与第二端之间导通;

在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,若所述位线上的电压低于所述源线上的电压,所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第二字线不向所述第二开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间导通,所述第二开关管的第一端与第二端之间断开;

在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,若所述位线上的电压高于所述源线上的电压,所述第一字线不向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第二字线向所述第二开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间断开,所述第二开关管的第一端与第二端之间导通。

2.根据权利要求1所述的磁性存储器,其特征在于,在对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,所述位线与所述源线之间形成第一电势差,所述第一字线向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间导通。

3.根据权利要求1所述的磁性存储器,其特征在于,在未对所述存储单元进行读出操作或写入操作时,所述位线与所述源线之间形成第二电势差,所述第一字线不向所述第一开关管的第三端加载电压,所述第一开关管的第一端与第二端之间断开。

4.根据权利要求1所述的磁性存储器,其特征在于,所述第二开关管为MOS管;所述MOS管的漏极与所述磁性隧道结的第二侧连接,源极与所述源线连接,栅极与所述第二字线连接。

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