[发明专利]一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺

说明书

一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，包括配置电镀溶液，电镀溶液为硫酸铜和辅助溶剂混合的溶液，所述辅助溶剂包括盐酸，硫酸，光亮剂，溶液温度为20℃～50℃；将薄膜浸泡溶液中电镀，然后离开溶液进行烘烤，烘烤温度为140‑160℃，烘烤时时间20‑300s。使用上述工艺加工的超薄薄膜，具有极高的断裂延伸率，适用范围广，可广泛应用于储能单元，其应用上述工艺时，制得的超薄薄膜，不氧化。

技术领域

本发明属于储能单元材料加工技术领域，具体涉及一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工 艺。

背景技术

随着工业的发展和化石能源的枯竭，环境污染和能源匮乏的压力越来越大，寻找新的能 源和发展新的节能工具。

锂储能单元，因其能量密度高、寿命较长、组成材料环境友好等特点，被广泛应用于电 子设备、新能源、航空航天甚至动力汽车等领域。性能优异的导电膜对提高储能单元的综合 性能具有重要的作用。因为使用环境涉及高温、有机溶剂、机械压缩及拉伸，导电薄膜的使 用性能要求极高，必须具有优异的尺寸稳定性、化学稳定性、耐压缩能力、耐穿刺性能、高 拉伸强度等。

发明内容

本发明的发明目的在于克服现有技术存在的问题，提供一种高断裂延伸率的超薄薄膜电 镀工艺。

本发明技术方案如下：

一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，包括配置电镀溶液，电镀溶液为硫酸铜和辅助 溶剂混合的溶液，所述辅助溶剂包括盐酸，硫酸，光亮剂，溶液温度为20℃～50℃；将薄膜 浸泡溶液中电镀，然后离开溶液进行烘烤，烘烤温度为140-160℃，烘烤时间20-300s。

其中，所述溶液温度控区间为22℃～28℃。

其中，所述溶液温度控区间30℃～38℃。

其中，所述溶液中CuSO₄·5H₂O浓度45～120g/L，

其中，CuSO₄·5H₂O其浓度范围为80-120g/L。

其中，所述溶液中Cl^-离子浓度20～100PPM。

其中，Cl^-浓度为30-50PPM。

其中，所述光亮剂浓度在0.5～3％。

其中，在所述工艺中，所述溶液中的Cu²⁺离子浓度在整个电镀过程的浓度波动≤10％。

其中，在所述工艺中，所述Cl-离子浓度在整个电镀过程的浓度波动≤5％。

其中，在所述工艺中，所述SO₄²-浓度在整个电镀过程的浓度波动≤10％。

其中，在所述溶液中设置有不溶性阳极，溶液和不溶性阳极板形成回路的电流密度 1ASD～8ASD。

其中，在所述溶液中设置有不溶性阳极，溶液和不溶性阳极板形成回路的电流密度 1-4ASD。

其中，所述溶液中氯离子浓度为30PPM，硫酸根浓度为100g/L，硫酸根浓度为170g/L， 溶液PH为0.8，光亮剂浓度为1％。

一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，包括如下步骤:

S1，首先把超薄薄膜，经过稀硫酸溶液处理，，然后经过喷淋清洗薄膜的两面，同时薄 膜经过净水浸泡清洗；

S2，将S1得到的薄膜，按顺序分别进入第1级、第2级、第3级及第4级电镀池；