[发明专利]一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺

权利要求书

1.一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：包括配置电镀溶液，电镀溶液为硫酸铜和辅助溶剂混合的溶液，所述辅助溶剂包括盐酸，硫酸，光亮剂，溶液温度为20℃～50℃；将薄膜浸泡溶液中电镀，然后离开溶液进行烘烤，烘烤温度为140-160℃，烘烤时间20-300s。

2.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：所述溶液温度控区间为22℃～28℃。

3.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：所述溶液温度控区间30℃～38℃。

4.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：所述溶液中CuSO₄·5H₂O浓度45～120g/L。

5.根据权利要求4所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：CuSO₄·5H₂O其浓度范围为80-120g/L。

6.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：所述溶液中Cl^-离子浓度20～100PPM。

7.根据权利要求6所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：Cl^-浓度为30-50PPM。

8.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：所述光亮剂浓度在0.5～3％。

9.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：在所述工艺中，所述溶液中的Cu²⁺离子浓度在整个电镀过程的浓度波动≤10％。

10.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：在所述工艺中，所述Cl^-离子浓度在整个电镀过程的浓度波动≤5％。

11.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：在所述工艺中，所述SO₄^2-浓度在整个电镀过程的浓度波动≤10％。

12.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：在所述溶液中设置有不溶性阳极，溶液和不溶性阳极板形成回路的电流密度1ASD～8ASD。

13.根据权利要求12所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：在所述溶液中设置有不溶性阳极，溶液和不溶性阳极板形成回路的电流密度1-4ASD。

14.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：所述溶液中氯离子浓度为30PPM，硫酸根浓度为100g/L，硫酸根浓度为170g/L，溶液PH为0.8，光亮剂浓度为1％。

15.根据权利要求1所述的一种高断裂延伸率的超薄薄膜电镀工艺，其特征在于：包括如下步骤:

S1，首先把超薄薄膜，经过稀硫酸溶液处理，，然后经过喷淋清洗薄膜的两面，同时薄膜经过净水浸泡清洗；

S2，将S1得到的薄膜，按顺序分别进入第1级、第2级、第3级及第4级电镀池；

S3，将经过S2处理的薄膜，进入到第5级镀液池进行增厚处理，后进入6级镀液池，之后重复进入5级和6级镀液池，然后进入7级镀池直至12级镀液池；

S4，在经过S3处理的薄膜，进入喷淋清洗薄膜两面，然后薄膜浸泡清洗，使得膜面仅携带一层薄薄的水膜，进入保护层沉积池，沉积出膜面的抗氧化层，之后把膜面携带的溶液进行消除，使得膜面仅携带一层薄薄的水膜；

S5，经过S4处理的薄膜，进入到烘箱干燥；

S6，经过S5处理后的薄膜，通过测试、分切、收卷得到成品。