[发明专利]一种显示面板、其制备方法及其终端器件在审
申请号: | 201910147199.3 | 申请日: | 2019-02-27 |
公开(公告)号: | CN109950281A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 曾勉;孙亮;王硕晟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 封装层 透镜部 像素阵列 终端器件 功能层 入射光 透光区 制备 面板表面结构 表面结构 弧形曲面 显示功能 依次设置 预定区域 第一区 基底层 上表面 透过率 凸出的 位置处 底面 引入 | ||
本发明提供了一种显示面板、其制备方法及其终端器件。其中所述显示面板定义有第一区和第二区,包括依次设置的基底层、功能层和封装层,其中所述功能层中设置有像素阵列。其中位于所述第二区的像素阵列中设置有2个或以上数量的透光区,所述封装层上对应所述至少两个透光区的位置处分别设置有一透镜部,其中所述透镜部的底面为平面并设置在所述封装层上,所述透镜部的上表面为向外凸出的弧形曲面。本发明提供了一种显示面板,其采用新型的面板表面结构设计,使得其预定区域在能够进行正常的显示功能的同时,其表面结构还能引入相对较多量的入射光并能同时实现较高的入射光透过率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是,其中的一种显示面板、制备方法及其终端器件。
背景技术
已知,随着手机产业的不断发展,手机显示屏技术也不断发展,显示屏上的功能也随之增多。例如,其中现有的手机显示屏已经普及设置有摄像头模块。
其中由于结构设置原因,使得现有手机中的摄像头模块需要和显示屏之间相互隔离放置,如此,就使得可用于放置显示屏的面积减小;同时这种设置方式明显与现在智能手机显示屏屏占比越来越大的发展趋势相背离。而摄像头模块作为如今手机上中不可或缺的一部分,如何将摄像头与显示屏集成,使得屏占比最大化,是急需解决的问题。
对此,业界采用的技术方案通常是将前置摄像头设计在显示屏外侧,显示屏因此需避让尺寸用来容纳前置摄像头,从而导致整机该部分显示屏区域无法进行正常的显示功能,最终导致大部分手机只能进行异形切割设计,即目前流行的手机“刘海屏”。
因此,业界目前急需提出屏下摄像头的相关技术设计方案,以解决了全面屏无法与前置摄像头兼容的问题。然而,目前针对屏下摄像头技术仍有很多困难之处,比如,怎么提升显示屏的透过率,透光均匀性等等。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种显示面板,其采用新型的面板表面结构设计,使得其预定区域在能够进行正常的显示功能的同时,其表面结构还能引入相对较多量的入射光并能同时实现较高的入射光透过率。
本发明采用的技术方案如下:
一种显示面板,定义有相邻接的第一区和第二区,包括依次设置的基底层、功能层和封装层,其中所述功能层中设置有像素阵列。其中位于所述第二区的像素阵列中设置有2个或以上数量的透光区,所述封装层上对应所述至少两个透光区的位置处分别设置有一透镜部,其中所述透镜部的底面为平面并设置在所述封装层上,所述透镜部的上表面为向外凸出的弧形曲面。
具体的,其中所述第一区可以为正常显示区,例如,AA区;而所述第二区可以是特别功能区,例如,摄像头区。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述显示面板为AMOLED显示面板,所述功能层为发光层。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述像素阵列中设置的透光区成阵列分布,所述透镜部的数量则对应所述透光区的数量,并相应的也成阵列设置并与所述透光区阵列上下对应设置。即,一个透光区的上面均设置有一个透镜部。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述透光区为圆柱状构型,所述透镜部的底面为圆形,其中所述透镜部的底面直径等于或是大于所述透光区的截面直径。具体的,所述透镜部的底面直径可以大于所述透光区截面直径0-5mm,具体可随需要而定,并无限定。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述透镜部采用的材料为光刻胶。例如,DQN型光刻胶,而在其他实施方式中,具体选用的光刻胶,可随实际需要而定,并无限定。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述光刻胶的熔点低于80度。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述封装层上设置有触控层,其中所述透镜部设置在所述触控层中的绝缘层位置处上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的