[发明专利]用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法

权利要求书

1.一种用于测量晶片表面上的颗粒的方法，所述方法包括：

将晶片设置在台上并且旋转所述台上的所述晶片；

将激光照射在旋转晶片的表面的中心的第一区域、所述第一区域和第三区域之间的第二区域、和所述晶片的边缘的所述第三区域中；以及

测量从所述晶片的所述第一区域至所述第三区域反射的激光，

其中，照射在所述第二区域中的激光的第二输出大于照射在所述第一区域中的激光的第一输出，并且照射在所述第三区域中的激光的第三输出大于照射在所述第二区域中的激光的所述第二输出。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一输出和所述第三输出是恒定的，并且所述第二输出在它变得离所述晶片表面的所述中心更远时增加。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一区域位于从所述晶片的所述中心到半径的1/14至1/16的区域中。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述激光的所述第一输出是所述激光的所述第三输出的40％至60％。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二区域位于与所述晶片的所述中心相距半径的1/14至1/16到2/9至4/9的区域中。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述激光的所述第二输出从所述激光的所述第三输出的40％增加至60％到100％。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第三区域位于与所述晶片的所述中心相距半径的2/9至4/9到所述晶片的所述边缘的区域中。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述激光包括具有所述第一输出的第一激光、具有所述第二输出的第二激光、以及具有所述第三输出的第三激光，其中所述第一激光至所述第三激光同时照射在所述第一区域至第三区域中。