[发明专利]用于检测具有大分子的气体的气体传感器设备

权利要求书

1.一种传感器设备，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一气体传感器，所述第一气体传感器包括第一半导体金属氧化物SMO膜，第一SMO膜具有第一厚度；

在所述衬底上的第二气体传感器，所述第二气体传感器包括第二SMO膜，所述第二SMO膜具有大于所述第一厚度的第二厚度，所述第二SMO膜被电耦合到所述第一SMO膜；

第一电阻器，电耦合到所述第二SMO膜；以及

第二电阻器，电耦合到所述第一电阻器和所述第一SMO膜，所述第一SMO膜和所述第二SMO膜以及所述第一电阻器和所述第二电阻器形成惠斯通半桥电路。

2.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一气体传感器包括被配置成加热所述第一SMO膜的第一加热器，并且所述第二气体传感器包括被配置成加热所述第二SMO膜的第二加热器。

3.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一气体传感器包括第一温度传感器，并且所述第二气体传感器包括第二温度传感器。

4.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一SMO膜和所述第二SMO膜由相同的材料制成。

5.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一SMO膜是无孔的，并且所述第二SMO膜是多孔的。

6.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一SMO膜具有响应于被暴露于气体而改变的第一电阻，并且所述第二SMO膜具有响应于被暴露于所述气体而改变的第二电阻。

7.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一SMO膜具有响应于被暴露于气体而保持相同的第一电阻，并且所述第二SMO膜具有响应于被暴露于所述气体而改变的第二电阻。

8.根据权利要求1所述的传感器设备，其中所述第一厚度介于90纳米与110纳米之间，并且所述第二厚度介于5微米与20微米之间。

9.一种传感器设备，包括：

衬底；

第一介电层，在所述衬底上；

第二介电层，在所述第一介电层上；

第一空腔，由所述第一介电层和所述第二介电层形成；

第二空腔，由所述第一介电层和所述第二介电层形成；

第一加热器，在所述第二介电层上并且直接覆盖所述第一空腔；

第二加热器，在所述第二介电层上并且直接覆盖所述第二空腔；

第三介电层，在所述第一加热器和所述第二加热器上，所述第一加热器和所述第二加热器通过所述第三介电层的部分而彼此分离；

第一半导体金属氧化物SMO膜，在所述第三介电层上并且直接覆盖所述第一加热器，所述第一SMO膜具有第一厚度；

在所述第二加热器上的第二SMO薄膜，所述第二SMO膜具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及

第四介电层，在所述第三介电层上，第四介电层包括分别将所述第一SMO膜和所述第二SMO膜暴露于周围环境的第一开口和第二开口，所述第一SMO膜和所述第二SMO膜通过所述第四介电层的部分而彼此分离。

10.根据权利要求9所述的传感器设备，进一步包括处理器，所述处理器被配置成控制所述第一加热器和所述第二加热器。

11.根据权利要求9所述的传感器设备，进一步包括：

第一温度传感器，在所述衬底上与所述第一SMO膜相邻；和

第二温度传感器，在所述衬底上与所述第二SMO膜相邻。

12.根据权利要求9所述的传感器设备，其中所述第一SMO膜和所述第二SMO膜由相同的材料制成。

13.根据权利要求9所述的传感器设备，其中所述第一SMO膜是无孔的，并且所述第二SMO膜是多孔的。