[发明专利]单晶硅片制绒方法

说明书

本发明公开了一种单晶硅片制绒方法，包括：S1、将单晶硅片浸没在碱溶液和第一制绒辅助溶液的混合溶液中进行抛光刻蚀，第一制绒辅助溶液包括绒面刻蚀剂、金属络合剂、第一表面活性剂、第一消泡剂中的一种或多种；S2、将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在碱溶液和第二制绒辅助溶液的混合溶液中进行制绒刻蚀，第二制绒辅助溶液包括绒面成核剂、pH调节剂、第二表面活性剂、第二消泡剂中的一种或多种。本发明通过引入制绒辅助溶液，仅需抛光刻蚀和制绒刻蚀两步工艺即可实现单晶硅片的制绒，大大减少了工艺时间，提高了生产效率；制绒过程中无需使用双氧水，大大减少了碱的耗量，降低了生产成本；降低了硅片表面绒面的反射率，绒面反射率能达到10％左右，硅片表面陷光性能更佳，从而提升了光电转换效率。

技术领域

本发明属于硅片制绒技术领域，尤其是一种单晶硅片制绒方法。

背景技术

在晶硅太阳电池生产中，需要使用特殊的溶液在硅片表面刻蚀出特殊的凹凸结构，这一刻蚀过程称之为制绒，刻蚀出的特殊结构称之为绒面结构。这种绒面结构可以有效降低硅片表面对于光的反射率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

针对单晶硅片，通常使用碱溶液来制绒，如氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液等。目前现有技术的单晶硅片制绒关键工艺包含三个步骤：

1、抛光刻蚀：将单晶硅片浸没在质量分数1％～3％的KOH或NaOH溶液中，刻蚀温度为60～75℃，刻蚀时间为3～4min；

2、清洗：抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在质量分数0.5％～2％的KOH或NaOH和体积分数5％～10％双氧水溶液中，清洗温度为60～75℃，清洗时间为2～3min；

3、制绒：将清洗后的单晶硅片浸没在质量分数1％～3％的KOH或NaOH和体积分数0.5％～2％制绒辅助剂混合溶液中，制绒温度为80～85℃，刻蚀时间为7～10min。

现有技术中的单晶硅片制绒工艺步骤相对复杂，需要消耗大量碱和双氧水，成本较高，且所需时间较长，生产效率不高。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种单晶硅片制绒方法。

发明内容

针对现有技术不足，本发明的目的在于提供一种单晶硅片制绒方法，通过简化单晶硅片的制绒工艺，实现了单晶硅片的超快速制绒。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种单晶硅片制绒方法，所述制绒方法包括：

S1、将单晶硅片浸没在碱溶液和第一制绒辅助溶液的混合溶液中进行抛光刻蚀，第一制绒辅助溶液包括绒面刻蚀剂、金属络合剂、第一表面活性剂、第一消泡剂中的一种或多种；

S2、将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在碱溶液和第二制绒辅助溶液的混合溶液中进行制绒刻蚀，第二制绒辅助溶液包括绒面成核剂、pH调节剂、第二表面活性剂、第二消泡剂中的一种或多种。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S1具体为：

将单晶硅片浸没在质量分数1％～3％的KOH或NaOH溶液和体积分数0.5％～1.0％的第一制绒辅助溶液的混合溶液中，在75℃～80℃温度下进行抛光刻蚀2min～3min。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S2具体为：

将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在质量分数1％～3％的KOH或NaOH溶液和体积分数0.5％～1.0％的第二制绒辅助溶液中，在80℃～85℃温度下进行制绒刻蚀5min～6min。

作为本发明的进一步改进，所述第一制绒辅助溶液按质量分数包括：

0.5％～1％的绒面刻蚀剂；

2％～5％的金属络合剂；