[发明专利]单晶硅片制绒方法

权利要求书

1.一种单晶硅片制绒方法，其特征在于，所述制绒方法包括：

S1、将单晶硅片浸没在碱溶液和第一制绒辅助溶液的混合溶液中进行抛光刻蚀，第一制绒辅助溶液包括绒面刻蚀剂、金属络合剂、第一表面活性剂、第一消泡剂中的一种或多种；

S2、将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在碱溶液和第二制绒辅助溶液的混合溶液中进行制绒刻蚀，第二制绒辅助溶液包括绒面成核剂、pH调节剂、第二表面活性剂、第二消泡剂中的一种或多种；

所述步骤S1具体为：

将单晶硅片浸没在质量分数1％～3％的KOH或NaOH溶液和体积分数0.5％～1.0％的第一制绒辅助溶液的混合溶液中，在75℃～80℃温度下进行抛光刻蚀2min～3min；

所述第一制绒辅助溶液按质量分数包括：

0.5％～1％的绒面刻蚀剂；

2％～5％的金属络合剂；

0.05％～0.08％的第一表面活性剂；

0.01％～0.02％的第一消泡剂；

及去离子水；

所述第一制绒辅助溶液中：

绒面刻蚀剂包括次氯酸钠、氨基三乙醇、PEG2000中的一种或多种；

金属络合剂包括乙二胺四乙酸二钠盐、DL-羟基丁二酸、亚氨基二琥珀酸四钠中的一种或多种；

第一表面活性剂包括甜菜碱、脂肪醇聚氧乙烯醚、全氟表面活性剂中的一种或多种；

第一消泡剂包括聚醚消泡剂、聚醚改性硅消泡剂中的一种或多种；

所述步骤S2具体为：

将抛光刻蚀后的单晶硅片浸没在质量分数1％～3％的KOH或NaOH溶液和体积分数0.5％～1.0％的第二制绒辅助溶液中，在80℃～85℃温度下进行制绒刻蚀5min～6min；

所述第二制绒辅助溶液按质量分数包括：

10％～20％的绒面成核剂；

3％～6％的pH调节剂；

0.05％～0.08％的第二表面活性剂；

0.01％～0.02％的第二消泡剂；

及去离子水；

所述第二制绒辅助溶液中：

绒面成核剂包括N羟甲基丙烯酰胺、羟乙基纤维素、大豆卵磷脂、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2甲基丙磺酸共聚物、聚马来酸中的一种或多种；

pH调节剂包括pH酸型调节剂及pH碱型调节剂；

第二绒面表面活性剂包括Gemini型表面活性剂、烷基糖苷新型表面活性剂、咪唑啉两性表面活性剂中的一种或多种；

第二消泡剂包括聚二甲基硅氧烷、高碳醇型消泡剂、聚醚改性硅消泡剂中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片制绒方法，其特征在于，所述第一制绒辅助溶液的电阻率大于或等于15MΩ·cm。

3.根据权利要求1所述的单晶硅片制绒方法，其特征在于，所述第二制绒辅助溶液的电阻率大于或等于15MΩ·cm。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片制绒方法，其特征在于，所述单晶硅片为太阳能级单晶硅片或电子级单晶硅片。