[发明专利]等离子体处理方法在审

申请号：	201910085900.3	申请日：	2019-01-29
公开（公告）号：	CN110211857A	公开（公告）日：	2019-09-06
发明（设计）人：	潘昇良;郭国凭;洪嘉阳;陈炳宏;谢志宏;孙书辉;章勋明	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H05H1/24
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	等离子体处理偏压源等离子体等离子体产生器可操作基板半导体工艺半导体基板电性耦接电压偏置气体点燃中支撑偏置远端配置支撑
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【说明书】：

在此所述的实施例涉及等离子体处理方法。工具包含基座。基座被配置以支撑半导体基板。工具包含偏压源。偏压源电性耦接至基座。偏压源可操作以利用直流(DC)电压偏置基座。工具包含等离子体产生器。等离子体产生器可操作以从基座远端产生等离子体。一种半导体工艺方法包含在工具中的基板上进行等离子体处理。等离子体处理包含将气体流入工具。等离子体处理包含将工具中支撑基板的基座偏置。等离子体处理包含在工具中使用气体点燃等离子体。

技术领域

本公开实施例涉及等离子体处理方法，特别涉及在半导体工艺中的等离子体处理方法。

背景技术

等离子体处理已在半导体工艺中普遍存在。等离子体可对工艺中使用的气体产生各种影响，以实现有利的结果。举例来说，增加等离子体中使用的气体的能量可以允许工艺在较低温度下进行。也可以实现其他好处。

发明内容

本公开的一实施例提供一种等离子体处理方法。此方法包含产生含带负电荷的氧离子的等离子体。此方法包含将基板暴露于等离子体。基板在被暴露于等离子体时设置于基座上。此方法包含在将基板暴露于等离子体时，施加负直流(DC)偏压至基座，以从基板排斥(repel)带负电荷的氧离子。

本公开的一实施例提供一种等离子体处理方法。此方法包含产生含带正电荷的氢离子的等离子体。此方法包含将基板暴露于等离子体。基板包含带负电荷的氟离子并在被暴露于等离子体时设置于基座上。此方法包含在将基板暴露于等离子体时，施加负直流(DC)偏压至基座，以从基板排斥带负电荷的氟离子。

本公开的一实施例提供一种等离子体处理方法。此方法包含产生含带负电荷的氧离子的等离子体。此方法包含将基板暴露于等离子体。基板在被暴露于等离子体时设置于基座上。此方法包含在将基板暴露于等离子体时，施加正直流(DC)偏压至基座，以吸引带负电荷的氧离子至基板上。

附图说明

通过以下的详述配合附图说明书附图，我们能更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，这些部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1显示根据一些实施例的简化的工具。

图2显示根据一些实施例用于在等离子体处理时施加直流(direct current,DC)偏压至基座的范例性方法。