[发明专利]石墨基座

说明书

本发明公开了一种石墨基座，属于外延技术领域。所述石墨基座包括基座本体和设置在所述基座本体上的用于生长外延片的多个口袋，每个所述口袋的边缘间隔设置有多个支撑块，所述支撑块与所述口袋的底面接触的一面设置有镂空结构。在该石墨基座中，一方面通过设计支撑块来减小外延片和石墨基座的接触面积，另一方面通过在支撑块与口袋接触的一面开设镂空结构，来降低通过支撑块传导到外延片上的热量，通过上述两个方面的改进，能够降低传递给外延片的热量，从而使得整个外延片的各个部位的热量都很低，避免出现受热不均，避免了裂片风险以及各个部位波长不均的情况。

技术领域

本发明涉及外延技术领域，特别涉及一种石墨基座。

背景技术

石墨基座是金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)设备中非常重要的配件，作用是进行外延片的生长。

石墨基座通过高纯石墨做基材，在其上镀膜一层SiC涂层的托盘用以放置外延片进入反应腔生长。外延片的衬底放置在托盘上，加热丝提供的热能通过托盘传导到外延片的衬底。

在生长过程中，由于衬底和石墨基座密切接触，导致衬底受热量大，且各个部位容易出现受热不均的情况，不但导致外延片存在裂片风险，而且会出现各个部位波长不均的情况。

发明内容

本发明实施例提供了一种石墨基座，以降低外延片各个部位受热不均的情况，避免裂片风险和波长不均的情况。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种石墨基座，所述石墨基座包括基座本体和设置在所述基座本体上的用于生长外延片的多个口袋，每个所述口袋的边缘间隔设置有多个支撑块，所述支撑块与所述口袋的底面接触的一面设置有镂空结构。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述镂空结构包括多个隔热腔体，所述多个隔热腔体均与所述口袋的底面接触，且在任意相邻的两个所述隔热腔体中，距离所述口袋的底面近的隔热腔体被包围在距离所述口袋的底面远的隔热腔体和所述口袋的底面之间。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述镂空结构包括4-8个隔热腔体。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述隔热腔体的形状与所述支撑块的外轮廓的形状相同。

在本发明实施例的一种实现方式中，每个所述口袋内的所述支撑块的数量为6-12个。

在本发明实施例的一种实现方式中，每个所述口袋内的所述支撑块的数量为9个。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述支撑块的高度为100μm～200μm。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述支撑块的高度为120μm。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述支撑块的外轮廓的截面为梯形或矩形。

在本发明实施例的一种实现方式中，当所述支撑块的外轮廓的截面为梯形时，所述梯形的斜边为内凹的弧形。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在该石墨基座中，一方面通过设计支撑块来减小外延片和石墨基座的接触面积，另一方面通过在支撑块与口袋接触的一面开设镂空结构，来降低通过支撑块传导到外延片上的热量，通过上述两个方面的改进，能够降低传递给外延片的热量，从而使得整个外延片的各个部位的热量都很低，避免出现受热不均，避免了裂片风险以及各个部位波长不均的情况。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。