[发明专利]一种阻抗比值不同的拆分式谐振器有效
申请号: | 201910067015.2 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN109818593B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 张孟伦;庞慰;孙晨 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02 |
代理公司: | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人: | 姜劲;谷惠敏 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阻抗 比值 不同 拆分 谐振器 | ||
本发明公开了一种拆分式谐振器,所述拆分式谐振器是由多个子谐振器构成的谐振器群;所述谐振器群中,包含两个以上并联支路,各个并联支路中包含两个以上串联的子谐振器;相邻的所述并联支路中的串联连接点之间具有桥接的单个子谐振器或具有桥接的子谐振器群。
技术领域
本发明涉及一种谐振器,具体涉及一种阻抗比值不同的拆分式谐振器。
背景技术
利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器,在手机通讯和高速串行数据应用等方面已经成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。射频前端体波滤波器/双工器提供优越的滤波特性,例如低插入损耗,陡峭的过渡带,较强的抗静电放电(ESD)能力。随着目前通讯等领域对滤波器和谐振器等电子器件功率容量要求的不断提高,滤波器和谐振器的发热量显著增大。高发热带来的高温会造成器件Q值和机电耦合系数大幅下降;此外高温还会造成由谐振器的频率发生漂移;另外高温还会降低器件整体寿命。以上诸多问题最终导致有谐振器构成的滤波器的性能参数如带宽,插入损耗,滚降特性,带外抑制等发生严重劣化。
应对发热问题的传统手段是增大谐振器的面积。这种方法在一定功率范围内可有效降低谐振器中的功率密度,从而降低谐振器的工作温度。但单纯依靠增加面积的方法已不能满足当前的谐振器对功率容量的要求,需要对传统结构进一步改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阻抗比值不同的拆分式谐振器,不仅增大了等效面积,而且还能增加谐振器的周长面积比,从而提高谐振器的散热性能和电子器件整体的功率容量。通过桥结构有助于抑制电路的不平衡性所产生的高次谐波,并提高电路抑制非线性效应的能力。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种阻抗比值不同的拆分式谐振器,所述拆分式谐振器是由多个子谐振器构成的谐振器群;所述谐振器群中,包含两个以上并联支路,各个并联支路中包含两个以上串联的子谐振器;相邻的所述并联支路中的串联连接点之间具有桥接的单个子谐振器或具有桥接的子谐振器群。
可选地,所述桥接的子谐振器群中包含两个以上并联支路,每个该并联支路中包含两个以上串联的子谐振器,相邻的该并联支路中的串联连接点之间具有桥接的单个子谐振器或具有所述桥接的子谐振器群。
可选地,在第一并联支路中:有1个子谐振器被短接,或者有多个不相邻的子谐振器被短接。
可选地,所述谐振器群中包含两个并联支路,其中第一并联支路中包含串联的并且压电层C轴指向相反的第一子谐振器和第二子谐振器,第二并联支路中包含串联的并且压电层C轴指向相反的第三子谐振器和第四子谐振器;在第一子谐振器和第二子谐振器的串联连接点,与第三子谐振器和第四子谐振器的串联连接点之间,跨接有第五子谐振器;第一子谐振器和第三子谐振器的压电层C轴指向相反,二者位于第五子谐振器第一侧;第二子谐振器和第四子谐振器的压电层C轴指向相反,二者位于第五子谐振器第二侧。
可选地,对于所述桥接的单个子谐振器或具有桥接的子谐振器群所构成的桥结构,有:桥结构的一端两侧的、并且位于同一并联支路的子谐振器具有不同的压电层C轴指向;桥结构的同侧的、并且位于不同并联支路的子谐振器具有不同的压电层C轴指向。
可选地,所述多个子谐振器中的各子谐振器之间保持声学隔离。
可选地,两相邻子谐振器的上电极或下电极或压电层的间隙宽度不小于半个声波波长,或者不小于2个声波波长。
可选地,所述拆分式谐振器具有2个引脚,所述2个引脚分别占据第一电位和第二电位;每个所述子谐振器的一侧具有所述第一电位并且另一侧则具有所述第二电位。
可选地,每个所述子谐振器的压电层的C轴由所述第一电位指向所述第二电位,或者由所述第二电位指向所述第一电位。
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