[发明专利]一种开端同轴探头的电极极化校正方法及处理终端

权利要求书

1.一种开端同轴探头的电极极化校正方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：预设开端同轴探头的等效电路模型，所述等效电路模型包括电阻R_p、电阻R_s、电阻R_f、电容C_s和电容C_f，电阻R_s和电容R_s并联形成第一并联支路，电阻R_f和电容C_f并联形成第二并联支路，电阻R_p、第一并联支路与第二并联支路依次连接；所述等效电路模型的净负载阻抗Z(ω)采用公式①进行计算：

并定义

式中，ω表示角频率，j表示复数的虚数单位，Z_s表示电极极化串联阻抗，且Z_s＝H₁(ω,A,n,B,m,C,I)+jH₂(ω,B,m,C,I)，H₁(ω,A,n,B,m,C,I)为Z_s的实部，H₂(ω,B,m,C,I)为Z_s的虚部，即式中A,n,B,m,C,I均为常数；

步骤2：接收用户输入的开端同轴探头的净负载阻抗的一组实测数据，分别将净负载阻抗的一组实测数据的实部和虚部进行插值求导，得到一组离散的导数值J(ω),令从而分别得到一组和的值，由公式②和③分别得到H₁(ω,A,n,B,m,C,I)的导数H′₁(ω,A,n,B,m,C,I)和H₂(ω,B,m,C,I)的导数H′₂(ω,B,m,C,I)的各一组离散值，根据所述各一组离散值拟合获得A,n,B,m,C,I的值，从而得到电阻R_p、电阻R_s和电容R_s的值：

式中，Re[Z(ω)]表示取Z(ω)的实部，Im[Z(ω)]表示取Z(ω)的虚部，ReJ(ω)表示取J(ω)的实部，ImJ(ω)表示取J(ω)的虚部，H′₁(ω,A,n,B,m,C,I)表示对H₁(ω,A,n,B,m,C,I)求导，H′₂(ω,B,m,C,I)表示对H₂(ω,B,m,C,I)求导；

步骤3：将电阻R_p、电阻R_s和电容R_s的值代入公式④进行计算，得到Z_s的值：

按相同角频率ω将步骤2中的负载阻抗的一组实测数据减去对应Z_s的值，得到去极化后的阻抗，完成极化校正。

2.一种处理终端，其包括，

存储器，用于存储程序指令；

处理器，用于运行所述程序指令，以执行如下步骤：

步骤1：预设开端同轴探头的等效电路模型，所述等效电路模型包括电阻R_p、电阻R_s、电阻R_f、电容R_s和电容C_f，电阻R_s和电容C_s并联形成第一并联支路，电阻R_f和电容C_f并联形成第二并联支路，电阻R_p、第一并联支路与第二并联支路依次连接；所述等效电路模型的净负载阻抗Z(ω)采用公式①进行计算：

并定义

式中，ω表示角频率，j表示复数的虚数单位，Z_s表示电极极化串联阻抗，且Z_s＝H₁(ω,A,n,B,m,C,I)+jH₂(ω,B,m,C,I)，H₁(ω,A,n,B,m,C,I)为C_s的实部，H₂(ω,B,m,C,I)为C_s的虚部，即式中A,n,B,m,C,I均为常数；

步骤2：接收用户输入的开端同轴探头的净负载阻抗的一组实测数据，分别将净负载阻抗的一组实测数据的实部和虚部进行插值求导，得到一组离散的导数值J(ω),令从而分别得到一组和的值，由公式②和③分别得到H₁(ω,A,n,B,m,C,I)的导数H′₁(ω,A,n,B,m,C,I)和H₂(ω,B,m,C,I)的导数H′₂(ω,B,m,C,I)的各一组离散值，根据所述各一组离散值拟合获得A,n,B,m,C,I的值，从而得到电阻R_p、电阻R_s和电容C_s的值：

式中，Re[Z(ω)]表示取Z(ω)的实部，Im[Z(ω)]表示取Z(ω)的虚部，ReJ(ω)表示取J(ω)的实部，ImJ(ω)表示取J(ω)的虚部，H′₁(ω,A,n,B,m,C,I)表示对H₁(ω,A,n,B,m,C,I)求导，H′₂(ω,B,m,C,I)表示对H₂(ω,B,m,C,I)求导；

步骤3：将电阻R_p、电阻R_s和电容C_s的值代入公式④进行计算，得到Z_s的值：

按相同角频率ω将步骤2中的净负载阻抗的一组实测数据减去对应Z_s的值，得到去极化后的阻抗，完成极化校正。