[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于，包括：

第一载流子传输层，设置于衬底上，所述第一载流子传输层的材料包括：

第一有机材料；以及

第一金属或所述第一金属的氧化物；以及

发光层，设置于所述衬底与所述第一载流子传输层之间或设置于所述第一载流子传输层上；

其中在所述第一金属的原子轨域中，在基态的情况下，所述第一金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域或4d以上的d轨域。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层包括：

第一有机材料层，包括所述第一有机材料；以及

第一阻挡层，设置于所述第一有机材料层上，所述第一阻挡层包括所述第一金属或所述第一金属的氧化物。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层另包括另一有机材料层，设置于所述第一阻挡层上。

4.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为0.1埃至300埃。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层由所述第一有机材料以及所述第一金属共同蒸镀所形成，或由所述第一有机材料以及所述第一金属的氧化物共同蒸镀所形成。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层的厚度为200埃至800埃。

7.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属或所述第一金属的氧化物于所述第一载流子传输层的体积比例为0.01％至80％。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，另包括第二载流子传输层设于所述衬底上，所述发光层设置于所述第一载流子传输层与所述第二载流子传输层之间，所述第二载流子传输层包括第二有机材料，所述第二有机材料不同于所述第一有机材料。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第二载流子传输层还包括第二金属或所述第二金属的氧化物，在所述第一金属的原子轨域以及所述第二金属的原子轨域中，在基态的情况下，所述第一金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域与4d以上的d轨域的其中一种，所述第二金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域与4d以上的d轨域的其中另一种。

10.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第二载流子传输层包括：

第二有机材料层，包括所述第二有机材料；以及

第二阻挡层，设置于所述第二有机材料层上，所述第二阻挡层包括第二金属或所述第二金属的氧化物。

11.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第二载流子传输层由所述第二有机材料以及第二金属共同蒸镀所形成，或由所述第二有机材料以及所述第二金属的氧化物共同蒸镀所形成。

12.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层为空穴传输层与电子传输层的其中一者，所述第二载流子传输层为空穴传输层与电子传输层的其中另一者。