[发明专利]电子装置的制作方法在审
申请号: | 201910052751.0 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN111463172A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 陈谚宗;游明璋 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾台北市内*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制作方法 | ||
本发明提供一种电子装置的制作方法,其包括以下步骤。将软性基板设置于载板上并于软性基板上设置元件结构层,其中载板上设置有离型层,而软性基板通过离型层与载板相连接。进行切割程序,以在元件结构层的外围形成周缘切割区。周缘切割区的深度从元件结构层延伸至离型层与载板之间。进行破口程序,以在周缘切割区内的软性基板与离型层之间形成破口。进行超音波震荡程序,使水分子通过震荡而经由破口进入软性基板与离型层之间。于进行超音波震荡程序之后,进行剥离程序,使软性基板与离型层分离。
技术领域
本发明涉及一种电子装置的制作方法,尤其涉及一种关于以超音波震荡程序来辅助离型的电子装置的制作方法。
背景技术
近年来随着移动通讯科技的蓬勃发展,移动通讯装置的功能越来越多元而丰富。为了符合市场趋势与消费者的期待,软性产品具有比传统产品更轻、更薄与高可挠度等优点。例如可将显示器、智能型手机与智能型手表等制作成可挠式电子产品,而制造可挠式电子产品的制程中需要将软性基板与设置在硬性基板上的离型层进行剥离。现今剥离的技术包括激光剥离(Laser Lift-Off,LLO)或机械剥离(Mechanism Lift-Off,MLO),其中机械剥离是利用注水、蒸气、吹气、热解等辅助方式来进行剥离程序。然而,此种方法所耗费的时间较长,无法快速地大量制造出可挠式电子产品,使得制造端的出货效率大幅降低。
发明内容
本发明是针对一种电子装置的制作方法,其通过超音波震荡程序,而可快速地使软性基板与离型层分离。
本发明提供一种电子装置的制作方法,其包括以下步骤。将软性基板设置于载板上并于所述软性基板上设置元件结构层,其中载板上设置有离型层,而软性基板通过离型层与载板相连接。进行切割程序,以在元件结构层的外围形成周缘切割区。周缘切割区的深度从元件结构层延伸至离型层与载板之间。进行破口程序,以在周缘切割区内的软性基板与离型层之间形成破口。进行超音波震荡程序,使水分子通过震荡而经由破口进入软性基板与离型层之间。于进行超音波震荡程序之后,进行剥离程序,使软性基板与离型层分离。
根据本发明的实施例,上述于进行破口程序之前,形成支撑膜片于元件结构层上。
根据本发明的实施例,上述于进行超音波震荡程序时,超音波震荡程序的频率介于20KHz至2MHz之间,而超音波震荡程序的温度介于20℃至80℃之间,且超音波震荡程序的时间介于1分钟至20分钟之间。
根据本发明的实施例,上述于进行破口程序之后,且于进行超音波震荡程序之前,提供超音波水槽。超音波水槽具有置放平台,而载板放置于置放平台上。元件结构层、软性基板以及载板浸泡于水中。
根据本发明的实施例,上述的超音波水槽具有底面,置放平台设置于底面。
根据本发明的实施例,上述的超音波水槽具有侧面及底面,侧面与底面相邻,其中置放平台设置于侧面。
根据本发明的实施例,上述置放平台与底面之间具有倾斜角。
根据本发明的实施例,上述于进行超音波震荡程序之后,且于进行剥离程序之前,进行第一清洁程序,以清除元件结构层上的水分子。于进行剥离程序之后,进行第二清洁程序,以清除软性基板上的水分子。
根据本发明的实施例,上述于进行剥离程序之后,形成支撑膜片于软性基板上。
根据本发明的实施例,上述支撑膜片包括紫外光膜或热塑性聚酯膜。
基于上述,在本发明的电子装置的制作方法中,通过超音波震荡程序,使水分子通过震荡而经由破口进入软性基板与离型层之间。如此一来,软性基板与离型层可快速地分离。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造