[发明专利]薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法及镀膜设备在审
申请号: | 201910048186.0 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN111463294A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 辛科;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/24 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕;南霆 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 碱金属 制备 方法 镀膜 设备 | ||
1.一种薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,所述薄膜太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、背电极层、碱金属层、吸收层,其特征在于,所述碱金属层的制备方法包括:
对已形成有所述背电极层的衬底进行加热,调节衬底的温度达到预设沉积温度阈值;以及
对碱金属源进行加热,调节所述碱金属源的加热功率达到预设功率阈值,或调节所述碱金属源的沉积速率达到预设沉积速率阈值;
根据所述衬底的温度以及所述碱金属源的加热功率或沉积速率,在形成所述吸收层之前于背电极层远离衬底的表面沉积预设厚度的碱金属层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述预设沉积速率阈值为0.05~0.8nm/s。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述预设沉积速率阈值为0.1~0.5nm/s。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述预设功率阈值为600~2000W。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述预设功率阈值为900~1500W。
6.根据权利要求2或4所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述预设沉积温度阈值为200~500℃,所述预设厚度为2~100nm。
7.根据权利要求3或5所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述预设沉积温度阈值为300~480℃,所述预设厚度为10~50nm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,在所述碱金属源中填充固态的碱金属化合物,将衬底加热至达到预设沉积温度阈值,并将固态的碱金属化合物加热至加热功率达到预设功率阈值,或将固态的碱金属化合物加热至沉积速率达到预设沉积速率阈值,使固态的碱金属化合物蒸发形成气态的碱金属阳离子和阴离子,并沉积在所述背电极层远离衬底的表面上。
9.根据权利要求1~8所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于:所述碱金属源具有偶数排,偶数排碱金属源设置于镀膜腔室内,且沿着所述镀膜腔室的幅长方向,所述偶数排碱金属源对称设置在所述镀膜腔室的两侧。
10.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池碱金属层的制备方法,其特征在于,所述碱金属源的中心线与参考线之间的夹角为16~50°,所述参考线为垂直于所述镀膜腔室的底部的直线。
11.一种采用如1~10任一项所述的制备方法制备薄膜太阳能电池碱金属层的镀膜设备,其特征在于,所述镀膜设备包括碱金属源、第一加热器和第二加热器;所述碱金属源内填充有碱金属化合物原料;
控制器用于控制所述第一加热器加热衬底,使衬底的温度达到预设温度阈值,控制所述第二加热器加热碱金属源,使碱金属源的加热功率达到第一预设功率阈值或碱金属源的沉积速率达到第一预设沉积速率阈值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的