[发明专利]粘晶胶纸随晶粒分离的方法

说明书

本发明涉及粘晶胶纸随晶粒分离的方法，包括对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆；在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸；利用镭射对粘晶胶纸切割。本发明通过将隐形切割工艺的冷扩步骤替换为镭射切割工序，使镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸，能够更好的分割粘晶胶纸和晶粒，能够改善晶粒翘曲和裂片的问题，能够提高产品良率。

技术领域

本发明涉及胶纸处理方法，更具体地说是指粘晶胶纸随晶粒分离的方法。

背景技术

记忆体市场的竞争主要看产品的容量和尺寸大小，大的存储容量和小尺寸备受欢迎。目前16G容量已经大众化，64G和128G的产品才更有未来。因此更薄及容量更高的晶圆需求和工艺的研发就变得十分的关键。

隐形切割工艺由于应用了激光能量来切割产品可以避免传统刀片切割存在的崩边，裂片的问题，但是在现有隐形切割工艺中也存在一定问题，比如最后的冷扩工序，该冷扩工序首先将研磨到目标厚度且贴有粘晶胶纸的整片晶圆放置于零下的环境中使粘晶胶纸脆化后，再对整片晶圆施加扩张力，从而使粘晶胶纸随晶粒分离，但是该种方法对粘晶胶纸材料的性能要求比较高，没有达到理想的性能要求时会发生粘晶胶纸分离不完全晶粒相连的问题，且由于上顶时对晶圆会施加一定的力，这很容易造成晶粒翘曲及裂片等问题，如图1至图3所示，尤其是当晶粒电路层越来越厚容量越来越大时，影响产品的良率，影响后续工序的加工。

因此，有必要设计一种新的方法，实现粘晶胶纸随晶粒分离，晶粒不翘曲和不裂片，提高产品良率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供粘晶胶纸随晶粒分离的方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：粘晶胶纸随晶粒分离的方法，包括：

对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆；

在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸；

利用镭射对粘晶胶纸切割。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的切割能量范围为0.5W至1.5W。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的频率为50HZ至150HZ。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的速度为50mm/s至100mm/s。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割，包括：

利用镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：

在晶圆表面贴研磨胶纸；

对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：

对晶圆进行背部预研磨；

对晶圆沿其切割道方向进行镭射切割，以得到隐形切割的晶圆；

对隐形切割的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行背部研磨和切割，包括：

对晶圆沿其切割道方向进行刀片切割，以得到切割后的晶圆；

对切割后的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。

其进一步技术方案为：所述在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸之后，还包括：

剥离晶圆的正面所粘贴的研磨胶纸。