[发明专利]一种SOI功率开关的ESD保护器件

权利要求书

1.一种SOI功率开关的ESD保护器件，其特征在于，包括：

P型衬底；

所述P型衬底上的N型深阱；

在所述N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱，所述第二N阱的宽度范围为2-8μm；

所述第一P阱内包括第一P+注入区、第一N+注入区，在所述第一P阱和所述第二N阱之间横跨有第二P+注入区；

所述第二P阱内包括第二N+注入区、第四P+注入区，在所述第二N阱和所述第二P阱之间横跨有第三P+注入区；

所述第二N阱上有栅氧化层，所述栅氧化层的长度范围为0.25～6μm，所述第一P+注入区和所述第一N+注入区连接至阳极，所述第二N+注入区和所述第四P+注入区连接至阴极；

在所述P型衬底下方依次设置有埋层、衬底。

2.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述第一P+注入区与所述第一N+注入区之间、所述第一N+注入区与第二P+注入区之间、所述第三P+注入区与所述第二N+注入区之间、所述第二N+注入区与所述第四P+注入区之间均设置有浅沟槽隔离层。

3.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述第一N阱的外侧、第三N阱的外侧且到达所述埋层上均设置有深沟槽隔离层。

4.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N阱一侧的第一N阱、第一P阱与另一侧的第二P阱、第三N阱呈对称分布。

5.如权利要求4所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N阱一侧的所述第一P阱内的所述第一P+注入区、所述第一N+注入区、所述第二P+注入区与所述第二N阱另一侧的所述第二P阱内的所述第三P+注入区、所述第二N+注入区、所述第四P+注入区呈对称分布。

6.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，正向的ESD电流路径为所述第一P+注入区、所述第一P阱、所述第二N阱、所述第二P阱、所述第二N+注入区；反向的ESD电流泄放路径为所述第四P+注入区、所述第二P阱、所述第二N阱、所述第一P阱、所述第一N+注入区。

7.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二P+注入区和所述第三P+注入区的离子注入浓度均为1e¹⁸原子数/cm³～1e²⁰原子数/cm³。