[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201910001327.3 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109727998A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 吴柏贤;胡宏杰;宋育准;陈祯祐;冯佑雄 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;刘薇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 介质层 第一导电层 显示装置 凹陷 基板 制备 导电部 覆盖 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板;
位于所述基板上的第一介质层,所述第一介质层具有凹陷;
第一导电层,其覆盖所述第一介质层;以及
辅助导电部,其位于所述凹陷中且接触所述第一导电层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一介质层包括像素定义层,所述像素定义层具有用于限定像素的开口和位于所述开口之间的像素间部分,
其中,所述凹陷位于所述像素定义层的所述像素间部分中。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凹陷包括沿行方向延伸的第一凹陷和/或沿列方向延伸的第二凹陷。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,还包括:
位于所述基板上的第二导电层,所述第二导电层的至少一部分在所述基板上的投影与所述开口在所述基板上的投影重叠;以及
位于所述第一导电层与所述第二导电层之间的发光层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层为透明的,以及所述第二导电层为反射的。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助导电部位于所述第一导电层之上。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助导电部位于所述第一介质层与所述第一导电层之间。
8.一种包括权利要求1至7中任一项所述的阵列基板的显示装置。
9.一种制备阵列基板的方法,包括:
提供基板;
在所述基板上形成第一介质层;
在所述第一介质层中形成凹陷;以及
形成第一导电层和辅助导电部,其中所述第一导电层覆盖所述第一介质层以及所述辅助导电部位于所述凹陷中且接触所述第一导电层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,通过喷墨打印形成所述辅助导电部。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第一介质层包括像素定义层,
所述像素定义层被形成为具有用于限定像素的开口和位于所述开口之间的像素间部分,
其中,形成所述凹陷包括:
去除所述像素定义层的所述像素间部分的一部分以形成所述凹陷。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,形成所述凹陷包括:
沿行方向去除所述像素间部分的所述部分以形成第一凹陷和/或沿列方向去除所述像素间部分的所述部分以形成第二凹陷。
13.根据权利要求11所述的方法,还包括:在形成所述第一导电层之前,在所述基板上在所述开口内形成第二导电层;以及
在所述第二导电层和所述像素间部分上形成发光层。
14.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述第一导电层和所述辅助导电部包括:在所述第一介质层上形成所述第一导电层;以及在所述凹陷中的所述第一导电层上形成所述辅助导电部。
15.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述第一导电层和所述辅助导电部包括:在所述凹陷中形成所述辅助导电部;以及形成所述第一导电层以覆盖所述第一介质层和所述辅助导电部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的