[发明专利]薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备有效

专利信息
申请号: 201880099469.1 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN113016043B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 刘宁;邹鹏;李宏伟;蒋帆 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01F3/14 分类号: H01F3/14;H01F17/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 贾莹
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 电感 及其 制作方法 集成电路 终端设备
【说明书】:

本申请实施例提供薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备,涉及电子技术领域,解决了电子产品中电感尺寸较大的问题。该薄膜电感包括:磁芯,磁芯包括第一磁膜和第二磁膜。第一磁膜与第二磁膜之间具有容纳腔。导体,位于容纳腔内。绝缘间隔膜设置于导体两侧,且位于第一磁膜和第二磁膜之间。绝缘间隔膜与第一磁膜和第二磁膜相接触。第一磁膜和第二磁膜均包括多层磁性子膜和绝缘子膜。第一磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第二磁膜中磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第一磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面,暴露出第一磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。和/或,第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面,暴露出第二磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。

技术领域

本申请涉及电子技术领域,尤其涉及薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备。

背景技术

电子元器件的小型化是电子产品的小型化、微型化的前提。电子产品例如,手环、智能手表、蓝牙耳机等可穿戴设备,或者手机、平板电脑等移动显示终端,又或者服务器、AI处理器、网络处理器等设备中,常用的电子元器件包括电感。

上述电子产品中通常设置有电压转换器,以该电压转换器中的DC-DC降压电路为例,如图1所示,该DC-DC降压电路中设置有电感L。上述电感L具有储能、滤波的作用。当开关管Q导通时,电感L充电。当开关管Q截止时,电感L放电。在上述降压电路中,当开关管Q的开关频率较低,例如为1KHz~100KHz时,为了减小降压电路输出电流的纹波,上述电感L的电感量需要为几百μH~几百nH。在此情况下,电感L的尺寸太大,不利于电子产品的小型化。

发明内容

本申请实施例提供薄膜电感及其制作方法、集成电路、终端设备,解决了电子产品中,电感尺寸较大的问题。

为达到上述目的,本申请采用如下技术方案:

第一方面,提供一种薄膜电感包括:磁芯,该磁芯包括第一磁膜和第二磁膜。第一磁膜与第二磁膜之间具有容纳腔。导体,位于容纳腔内;绝缘间隔膜,设置于导体两侧,且位于第一磁膜和第二磁膜之间。绝缘间隔膜与第一磁膜和第二磁膜相接触。此外,第一磁膜和第二磁膜均包括多层磁性子膜和绝缘子膜。第一磁膜中,上述磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第二磁膜中,上述磁性子膜和绝缘子膜交替设置。第一磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面,暴露出第一磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。和/或,第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面,暴露出第二磁膜中多层磁性子膜和多层绝缘子膜。这样一来,绝缘间隔膜处的涡流,能够在第一磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面,和/或,第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面,与暴露出的多层磁性子膜和多层绝缘子膜相交。从而使得绝缘间隔膜处的涡流,在该涡流所在的平面与各层磁性子膜相交的位置,被各层磁性子膜分隔成多个子涡流,且每个子涡流进入到一层磁性子膜中。在此情况下,每个子涡流能够被局限于一层磁性子膜中,达到降低涡流损耗的目的。

可选的,第一磁膜,和/或,第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面为倾斜面。此外,第一磁膜和第二磁膜中的多层磁性子膜和多层绝缘子膜,与第一磁膜的下表面平行。上述第一磁膜的下表面为第一磁膜远离第二磁膜一侧的表面。这样一来,上述涡流能够在该涡流所在的平面与各层磁性子膜相交的位置,被各层磁性子膜分隔成多个子涡流。并且,每个子涡流进入到一层磁性子膜中,从而使得各个子涡流能够被局限于各层磁性子膜中,达到降低涡流损耗的目的。

可选的,第一磁膜和第二磁膜与绝缘间隔膜相接触的表面为,斜率相同的倾斜面。在此情况下,位于第二磁膜和第一磁膜之间的上述绝缘间隔膜的厚度各处相同。

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