[发明专利]大气压等离子体发生装置有效
申请号: | 201880096124.0 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN112543990B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 神藤高广 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨青;安翔 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大气压 等离子体 发生 装置 | ||
1.一种大气压等离子体发生装置,具备:
一对电极,通过放电而产生等离子体;
反应室,在所述反应室中内置所述一对电极,具有供处理气体流入的流入口及供通过所述一对电极而将所述处理气体等离子体化后的等离子气体流出的流出口;及
控制装置,控制从所述流出口流出的所述等离子气体的温度,以使NOx的产生量为阈值以下。
2.根据权利要求1所述的大气压等离子体发生装置,其中,
所述大气压等离子体发生装置具备配置于所述等离子气体的流路的NOx传感器,
所述控制装置基于所述NOx传感器的输出而进行控制。
3.根据权利要求1或2所述的大气压等离子体发生装置,其中,
所述等离子气体是氧等离子气体,
所述大气压等离子体发生装置具备配置于所述等离子气体的流路的臭氧传感器,
所述控制装置基于所述臭氧传感器的输出而控制所述等离子气体的温度,以使臭氧的产生量处于预定值以上的范围。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的大气压等离子体发生装置,其中,
所述大气压等离子体发生装置具备配置于所述等离子气体的流路的温度传感器,
所述控制装置以使基于所述温度传感器的输出而得出的温度成为目标温度的方式进行控制。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的大气压等离子体发生装置,其中,
所述大气压等离子体发生装置具备对所述处理气体及所述反应室中的至少一方进行冷却的冷却装置,
所述控制装置通过控制所述冷却装置来控制所述等离子气体的温度。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的大气压等离子体发生装置,其中,
所述大气压等离子体发生装置具备:
冷却器,对所述处理气体及所述反应室中的至少一方进行冷却;及
加热装置,对所述等离子气体进行加热,
所述控制装置通过控制所述加热装置来控制所述等离子气体的温度。
7.根据权利要求6所述的大气压等离子体发生装置,其中,
所述冷却器具有供冷却加热气体流动的气体流路,
所述加热装置具有:
气体管,与所述气体流路连结,供所述冷却加热气体流动,
加热器,配置于所述气体管;及
连结部,与所述气体管连结,在所述等离子气体的流路具有喷出口,
通过从所述喷出口对所述等离子气体喷出由所述加热器加热后的所述冷却加热气体而对所述等离子气体进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造